FDV301N-NL 时间：2025/12/23 12:25:52 阅读：16

FDV301N-NL 是一款由 Fairchild（现为 ON Semiconductor）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的电源管理应用中。其封装形式为 SO-8，能够满足紧凑型设计的需求。
　　FDV301N-NL 主要应用于需要高性能、低功耗的场景，如 DC-DC 转换器、负载开关、电池保护电路以及便携式电子设备中的电源管理模块等。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：3.9A
　　栅极-源极电压（最大值）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（在 Vgs=10V 时）
　　总功耗：1.3W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SO-8

特性

FDV301N-NL 的主要特性包括以下几点：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和脉宽调制（PWM）控制器。
　　3. 高度稳定的电气特性，在较宽的工作温度范围内表现一致。
　　4. 小型 SO-8 封装，便于集成到空间受限的设计中。
　　5. 具备良好的热性能，能够承受较高的功率密度。
　　6. 支持多种保护功能，例如过流保护和短路保护，确保系统可靠性。

应用

FDV301N-NL 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　2. DC-DC 转换器，用于电压调节和电源管理。
　　3. 负载开关，控制不同负载的供电状态。
　　4. 电池管理系统（BMS），提供高效的充放电控制。
　　5. 各类消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源部分。
　　6. 工业自动化和汽车电子中的低侧开关应用。