时间：2025/6/27 4:54:04
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MA0402CG161J500 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，属于 GaN Systems 的 GS 系列。该器件采用增强型设计，支持高频开关和低导通电阻特性，广泛应用于服务器电源、工业电机驱动、无线充电设备及 DC-DC 转换器等领域。
此芯片通过独特的封装工艺提升了散热性能，并具备极高的可靠性。其主要目标市场是需要高功率密度和高效能转换的应用场景。
型号：MA0402CG161J500
类型：GaN HEMT (高电子迁移率晶体管)
最大漏源电压：650 V
连续漏极电流：8 A
导通电阻（Rds(on)）：16 mΩ
栅极电荷：70 nC
输入电容：2300 pF
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：PDFN 8x8 mm
MA0402CG161J500 具备卓越的电气性能和可靠性，其特点如下：
1. 高效能量转换：得益于低导通电阻和快速开关速度，能够显著减少功率损耗。
2. 高频率操作：适合高频开关应用，有助于减小磁性元件尺寸并提高系统功率密度。
3. 增强型设计：仅在正栅极驱动时导通，确保了更高的安全性与稳定性。
4. 出色的热管理：通过优化的封装设计，可有效降低结温，延长使用寿命。
5. 符合 RoHS 标准：绿色环保，满足国际法规要求。
此外，该产品具有短路保护能力以及较强的抗 EMI 干扰能力，使其在复杂电磁环境中依然表现出色。
这款 GaN 功率晶体管适用于以下领域：
1. 服务器和通信设备中的 AC-DC 和 DC-DC 电源模块。
2. 太阳能逆变器的核心功率转换电路。
3. 工业自动化领域的高效电机驱动解决方案。
4. 高端消费电子产品如笔记本适配器和快充头。
5. 无线充电基站及电动汽车充电桩等新兴应用场景。
由于其优异的高频特性和低损耗表现，MA0402CG161J500 成为现代电力电子设计的理想选择。
MA0402CG161J350
MA0402DG161J500
GS66508T
