时间：2025/9/15 15:13:11
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WS1113-TR13 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于多种高功率开关应用。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而降低了导通损耗，提高了系统效率。其封装形式为 SOT-23，体积小巧，适合于高密度 PCB 设计。WS1113-TR13 通常用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动以及电池供电设备中，具有良好的热稳定性和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±12V
连续漏极电流（Id）：4.3A（@25℃）
导通电阻（Rds(on)）：33mΩ（@Vgs=4.5V）
功率耗散（Pd）：1.4W
工作温度范围：-55℃～150℃
封装形式：SOT-23
WS1113-TR13 采用先进的沟槽式工艺，使其在低电压应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高频率开关应用。该器件的 SOT-23 封装形式具有良好的热性能，能够有效散热，确保在高负载条件下的稳定性。此外，WS1113-TR13 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平驱动，兼容多种控制电路，如 DSP、MCU 和 FPGA 等。其高可靠性设计使其在高温环境下依然能够保持稳定运行，适合工业级和消费类电子产品的应用需求。
WS1113-TR13 主要应用于电源管理领域，包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电机驱动电路以及电池供电设备等。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效能开关电源的理想选择。此外，该器件也适用于 LED 驱动电路、电源管理系统以及便携式电子设备中的功率控制模块。由于其兼容多种逻辑电平控制，WS1113-TR13 在嵌入式系统、工业自动化和智能家电等领域也有广泛的应用。
AO3400A, SI2302DS, FDS6675, BSS138K
