TK110 时间：2025/7/26 21:30:49 阅读：6

TK110 是一款由 Toshiba（东芝）公司推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种功率管理和开关应用。这款器件设计用于高效率、高频开关操作，适用于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及电池管理系统等。TK110 采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，从而提高了系统的整体效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：110A
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.7mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220 或 TO-247

特性

低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流应用中更低的导通损耗，从而提高了整体系统效率。
　　采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供更优的热管理和更高的功率密度。
　　高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、电动工具、电动车辆（EV）充电系统等。
　　宽温度范围（-55°C 至 150°C）允许其在极端环境条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用。
　　高耐压特性（30V Vds）支持更广泛的应用场景，包括电池管理系统和电机控制电路。
　　快速开关特性有助于降低开关损耗，适用于高频电源转换器设计。
　　封装形式如 TO-220 和 TO-247 提供良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和散热器连接。

应用

TK110 主要应用于需要高电流、低导通损耗和高可靠性的功率系统中。例如，它被广泛用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业自动化设备中的功率开关电路。此外，它也适用于服务器和电信设备的电源模块设计，以及电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）中的电池管理和充电系统。