时间：2025/11/6 3:20:44
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WR25X200JTL是一款由Vishay Siliconix（威世硅集成）生产的P沟道增强型功率MOSFET，采用紧凑型表面贴装PowerPAK SO-8L封装。该器件专为高性能电源管理应用设计，适用于需要高效率、低导通损耗和快速开关特性的场景。WR25X200JTL的主要优势在于其低栅极电荷（Qg）和低输出电容（Coss），使其在高频开关应用中表现出色，例如DC-DC转换器、负载开关、热插拔控制器以及电池供电设备中的电源路径控制等。该MOSFET的额定电压为-25V，最大连续漏极电流可达-9.3A（在TC=25°C时），具备良好的热稳定性和可靠性。此外，其RDS(on)（漏源导通电阻）非常低，在VGS = -4.5V时典型值为27mΩ，在VGS = -10V时可低至20mΩ，有效降低了传导损耗，提高了系统整体能效。WR25X200JTL符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适合用于对环境要求较高的工业和消费类电子产品中。该器件还具有良好的抗雪崩能力和坚固的栅氧化层设计，提升了在实际工作环境下的耐用性与安全性。
型号：WR25X200JTL
制造商：Vishay Siliconix
器件类型：P沟道MOSFET
封装类型：PowerPAK SO-8L
最大漏源电压（VDS）：-25V
最大栅源电压（VGS）：±12V
最大连续漏极电流（ID）：-9.3A（TC=25°C）
最大脉冲漏极电流（IDM）：-25A
最大功耗（PD）：2.5W（TA=25°C）
工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +150°C
漏源导通电阻（RDS(on)）：20mΩ @ VGS = -10V, ID = -4.6A
漏源导通电阻（RDS(on)）：27mΩ @ VGS = -4.5V, ID = -4.6A
阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.0V
栅极电荷（Qg）：9.3nC @ VGS = -10V
输入电容（Ciss）：490pF @ VDS = -10V
输出电容（Coss）：205pF @ VDS = -10V
反向恢复时间（trr）：18ns
WR25X200JTL具备优异的电气性能和热管理能力，特别适用于高密度电源设计。其低RDS(on)特性显著减少了在导通状态下的功率损耗，从而提升了系统的整体效率，并有助于降低散热需求，允许在更小的空间内实现高效的电源转换。该器件的低栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需的能量更少，能够支持更高的开关频率操作，适用于现代高频DC-DC变换器拓扑结构，如同步整流Buck或Boost电路。同时，较低的输出电容（Coss）也有助于减少开关过程中的能量损耗，进一步提升高频效率。PowerPAK SO-8L封装不仅体积小巧，节省PCB空间，而且具有出色的热传导性能，底部带有暴露焊盘，可通过PCB散热焊盘将热量快速传递到地层或散热平面，有效控制结温上升。这种封装还优化了寄生电感，有助于减小电压尖峰和电磁干扰（EMI），提高系统稳定性。该MOSFET经过严格的生产测试和质量控制流程，确保批次一致性与长期可靠性。其坚固的栅极氧化层设计可承受一定的过压冲击，增强了现场应用中的鲁棒性。此外，器件支持快速切换能力，可用于精密的电源开关控制，例如在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中作为电池开关或负载隔离使用。由于其P沟道特性，控制逻辑更为简单，无需额外的电平移位电路即可直接由低压控制器驱动，简化了设计复杂度。
该器件在瞬态响应方面表现良好，能够在负载突变时快速调整通断状态，维持输出电压稳定。其内置体二极管具有较快的反向恢复速度（trr=18ns），可在某些拓扑中作为续流路径使用，减少外部元件数量。综合来看，WR25X200JTL是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，广泛应用于对空间、效率和热性能有严格要求的现代电子系统中。
WR25X200JTL主要用于各类中低电压电源管理系统中，典型应用场景包括同步整流DC-DC降压（Buck）转换器、负载开关、热插拔电源控制器、电池供电设备的电源路径管理、便携式消费电子产品（如智能手机、平板电脑、可穿戴设备）中的电源隔离与分配、服务器和通信设备中的点负载供电调节等。此外，它也可用于电机驱动电路、LED驱动电源以及需要高效能P沟道开关的嵌入式控制系统中。其高效率和小尺寸特性使其成为追求小型化与高能效设计的理想选择。
Si7157DP-T1-GE3,Si4437BDY-T1-GE3
