时间：2025/5/22 2:40:27
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RB168MM150TR 是一款基于硅 carbide（SiC）技术的功率 MOSFET 芯片，适用于高电压和高频应用领域。该器件具有卓越的开关性能、低导通电阻以及出色的热稳定性，使其成为工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电系统以及其他高效能电力电子设备的理想选择。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-247-3，便于散热和安装，同时具备较高的电流承载能力。
最大漏源电压：1500V
连续漏极电流：16A
导通电阻：80mΩ
栅极电荷：95nC
开关频率：高达100kHz
工作温度范围：-55℃至+175℃
RB168MM150TR 提供了多种显著的技术优势，包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低传导损耗并提高效率。
2. 快速的开关速度，减少开关损耗。
3. 高耐压能力，确保在高压环境下稳定运行。
4. 具备优异的抗电磁干扰能力，适合复杂电磁环境中的应用。
5. 内置过温保护机制，进一步提升可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
该芯片广泛应用于各种高功率转换场景，例如：
1. 工业用开关电源（SMPS）。
2. 太阳能光伏逆变器。
3. 电动车车载充电器（OBC）。
4. 不间断电源（UPS）。
5. 电机驱动与控制电路。
6. PFC（功率因数校正）模块。
RB168MM1200TR, C3M0065120D, SCT20N120
