时间：2025/6/12 6:10:24
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WPN4020H100MT 是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效率应用设计。该器件采用先进的封装工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，适用于电源转换、DC-DC转换器以及射频功率放大等领域。
其卓越的性能使得它在高频率下的能量损耗显著降低，同时提高了整体系统效率。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：100A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：80nC
开关频率范围：10kHz~5MHz
工作温度范围：-55℃~+175℃
封装形式：TO-247-3
WPN4020H100MT 的主要特点是采用了氮化镓材料，这使其具备了出色的热性能和电气性能。
1. 高击穿电压：600V 的耐压能力确保其能够在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：2.5mΩ 的导通电阻减少了导通时的能量损耗。
3. 快速开关：得益于氮化镓材料的独特性质，其开关速度可达到 MHz 级别，适合高频应用场景。
4. 高可靠性：经过严格测试，可在极端温度条件下保持高性能表现。
5. 小尺寸封装：相比传统硅基 MOSFET，该器件具有更紧凑的设计，有助于节省电路板空间。
WPN4020H100MT 广泛应用于需要高效功率转换和高频操作的场景中，包括但不限于以下领域：
1. 数据中心电源模块
2. 电动汽车充电站
3. 太阳能逆变器
4. 工业电机驱动
5. 通信基站中的射频功率放大器
6. 高效 DC-DC 转换器
由于其高效的能量转换能力和高频特性，这款器件非常适合要求紧凑设计和高效率的应用环境。
WPN4020H80MT
WPN4020H120MT
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