时间：2025/6/19 14:07:49
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WPN252010HR68MT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的半导体制造工艺。该器件专为需要高效率和低功耗的应用场景设计，广泛用于电源管理、电机驱动、开关电源等领域。
该型号属于N沟道增强型MOSFET，具有极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗，提高系统效率。同时，其快速开关特性和良好的热性能使其在高频应用中表现出色。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：40A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：70nC
开关速度：超快
封装类型：TO-263
工作温度范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提升效率。
2. 快速开关能力，适用于高频电源转换应用。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
4. 优秀的热稳定性和可靠性，能够在极端温度条件下正常运行。
5. 小型化封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动和控制电路中的功率级组件。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. LED照明系统的驱动器。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护和充放电控制。
6. 通信设备中的DC-DC转换器。
WPN252010HR68PT, WPN252010HR68FT
