时间：2025/5/8 13:16:44
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IA4N60T1 是一款 N 沣道通体管（MOSFET），由 Infineon Technologies 生产。该器件采用 TRENCHSTOP? 技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种功率转换应用。其额定电压为 600V，能够承受较高的反向电压，同时保持较低的开关损耗。
这款 MOSFET 主要用于需要高效功率转换的应用场合，例如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和 UPS 系统等。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻：1.5Ω
栅极电荷：17nC
开关时间：ton=85ns, toff=45ns
封装形式：TO-220AC
IA4N60T1 具有以下显著特性：
1. 高耐压能力：可承受高达 600V 的漏源电压，适合高压应用场景。
2. 低导通电阻：在高电流条件下减少功率损耗，提高效率。
3. 快速开关性能：短开关时间和低栅极电荷有助于降低开关损耗。
4. 热稳定性：具备良好的热特性和散热性能，能够在高温环境下稳定运行。
5. 可靠性高：通过严格的质量控制流程生产，确保长期使用的可靠性。
6. 小型化设计：紧凑的 TO-220AC 封装节省电路板空间，简化系统设计。
IA4N60T1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动：适用于家用电器、工业设备和电动车中的无刷直流电机驱动。
3. 不间断电源（UPS）：作为功率级元件，确保电力供应的稳定性和可靠性。
4. 能量存储系统：用于电池管理系统中的充放电控制。
5. 工业自动化：为机器人、运动控制和其他工业设备提供高效的功率解决方案。
IPA60N4S4L-04,
IPA60R150P,
IPA60R190P
