SKRPANE010是一种高性能的功率MOSFET芯片,主要用于开关电源、电机驱动和负载切换等应用领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其封装形式紧凑,适合对空间要求较高的电路设计。SKRPANE010能够在高频条件下提供高效的功率转换,同时保持较低的功耗和发热。
型号:SKRPANE010
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):40A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
总闸电荷(Qg):50nC
开关频率:高达500kHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
SKRPANE010具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 出色的热稳定性和散热性能,能够承受高温工作条件。
4. 高击穿电压和大电流处理能力,确保在严苛条件下的可靠性。
5. 紧凑型封装,节省PCB布局空间。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
这些特性使SKRPANE010成为各种高效能功率转换应用的理想选择。
SKRPANE010广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动,例如步进电机、无刷直流电机控制。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品。
5. 汽车电子系统,如电动车牵引逆变器和电池管理系统。
6. 其他需要高效功率转换和控制的应用场景。
IRFP2907, FDP18N60C