产品系列：WPN
　　尺寸（mm）：2.5 x 2.0 x 1.0
　　电感值：0.22 μH
　　公差：±20%
　　额定电流（Irms）：1.8 A
　　饱和电流（Isat）：2.3 A
　　直流电阻（DCR）：75 mΩ 最大
　　自谐振频率（SRF）：1.1 GHz 典型
　　工作温度范围：-55°C 至 +155°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +165°C
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　磁屏蔽类型：磁屏蔽结构，低EMI辐射
　　符合标准：RoHS compliant, AEC-Q200 qualified

WPN252010HR22MT具有出色的磁屏蔽设计，采用闭合磁路结构，显著降低了电磁干扰（EMI）的辐射水平，使其在高密度PCB布局中不会影响邻近敏感信号线路，如射频模块或模拟前端电路。这种屏蔽特性不仅提升了系统的电磁兼容性（EMC），还允许设计者在有限空间内实现更高集成度的电源方案。该电感器使用高性能金属合金粉末作为磁芯材料，这种材料在高电流下表现出优异的磁导率稳定性和低磁滞损耗，从而确保在大负载条件下仍能维持稳定的电感值，避免因磁饱和导致的性能下降或电路失效。
　　其低直流电阻（DCR）仅为75mΩ最大，有助于减少铜损，提高DC-DC转换器的整体效率，尤其适用于电池供电设备中延长续航时间。同时，高达2.3A的饱和电流和1.8A的温升电流表明其能够承受瞬态大电流冲击，适合用于降压（Buck）、升压（Boost）或升降压（Buck-Boost）拓扑结构中的储能元件。该器件的自谐振频率达到1.1GHz，意味着在高频开关应用（如现代CPU核心供电、PoL电源等）中仍能保持良好的阻抗特性，有效滤除高频噪声。
　　WPN252010HR22MT采用全自动化生产流程和无铅回流焊兼容设计，支持高速贴片工艺，适合大规模SMT生产线。其坚固的结构设计可抵抗机械振动和热循环应力，结合-55°C至+155°C的宽工作温度范围，确保在极端环境下的长期可靠性。此外，该器件通过AEC-Q200认证，证明其满足汽车电子对耐久性、高温稳定性和长期老化性能的严苛要求，因此广泛应用于车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元等场景。

WPN252010HR22MT主要用于各类高频率、高效率的开关电源电路中，特别是在空间受限但需要高电流输出的应用场合。典型应用场景包括移动设备中的PMU（电源管理单元）电感，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的DC-DC转换器输出滤波。其小尺寸和高饱和电流特性使其成为便携式电子产品中降压稳压器的理想选择，可用于为处理器、GPU、RAM等核心部件提供稳定电源。
　　在通信领域，该电感器可用于基站模块、光模块和路由器中的电源去耦和噪声抑制电路，利用其高自谐振频率和低EMI特性提升信号完整性。在汽车电子方面，它被广泛用于车载导航系统、摄像头模块、车载充电器（OBC）以及LED照明驱动电源中，支持48V轻混系统或12V主电源的电压转换。此外，在工业控制设备、FPGA电源、DSP供电系统以及物联网（IoT）终端设备中，WPN252010HR22MT也常作为关键储能元件，保障系统在复杂电磁环境下的稳定运行。其AEC-Q200认证进一步增强了其在汽车和工业级应用中的可信度。

WE-LQ SHT 252010H2R2; LQMHPN252010DLCR22M; DLP252010H2R2ME