WPM3407-3 时间：2025/7/22 17:50:14 阅读：19

WPM3407-3是一款由Weitron Technology（伟创力）生产的高性能、低电压、双N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器、电池供电设备等电路设计中。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），能够在低电压条件下提供高效率和优异的热性能。

参数

类型：双N沟道MOSFET
　　封装形式：SOT-26
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　漏极电流（ID）：连续 5.6A（每个通道）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON)）：@VGS=4.5V，每个通道典型值为18mΩ；@VGS=2.5V，典型值为25mΩ
　　功耗（PD）：2.5W
　　输入电容（Ciss）：典型值为530pF
　　开启阈值电压（VGS(th)）：0.6V ~ 1.5V

特性

WPM3407-3具备多项高性能特性，适用于多种功率管理场合。首先，该器件采用先进的沟槽式MOSFET工艺，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其次，其低VGS(th)特性允许在较低的栅极电压下工作，适用于3V、5V等低压控制电路，如由微控制器或数字逻辑电路驱动的应用。此外，该MOSFET具有较高的电流承载能力，每个通道的连续漏极电流可达5.6A，适用于需要较高输出能力的场合。
　　WPM3407-3采用SOT-26小型封装，节省PCB空间，适合便携式设备和高密度电路板设计。其封装材料符合RoHS环保标准，满足现代电子产品对环保和无铅工艺的要求。在热性能方面，该器件具有良好的热稳定性，能够在高负载条件下稳定工作。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，输入电容较小（Ciss典型值为530pF），有助于提高开关速度，减少开关损耗。此外，其较高的VDS击穿电压（30V）提供了良好的安全裕量，适用于多种电源拓扑结构，如同步整流、H桥驱动、电机控制等。

应用

WPM3407-3因其高性能特性，广泛应用于各类电子设备中的功率控制和转换电路中。例如，在电源管理系统中，它可作为负载开关或DC-DC降压/升压转换器的主控MOSFET，提高能效并延长电池寿命。在便携式设备如智能手机、平板电脑和无线耳机中，该器件可用于电源路径管理、充电控制和电压调节模块。
　　此外，WPM3407-3也适用于电机驱动电路，如小型风扇、直流电机或步进电机的控制，提供高效、稳定的开关性能。在LED驱动电路中，它可以作为电流调节开关，实现高亮度LED的恒流控制。该器件还可用于电池供电设备的保护电路，如过流保护、欠压锁定和短路保护等应用场景。
　　由于其低导通电阻和快速开关特性，WPM3407-3也常用于同步整流电路、热插拔电源控制、服务器电源模块以及汽车电子系统中的功率管理单元。