时间：2025/8/9 12:47:09
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2SK3988-01 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型MOSFET，适用于高频功率放大器和开关电源等应用。该器件采用了先进的工艺技术，具备低导通电阻、高耐压和良好的热稳定性。2SK3988-01 封装在SOT-227B（小型表面贴装封装）中，适合高密度PCB布局。其高频特性使其在射频（RF）和DC-DC转换器中表现出色。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：150V
漏极-栅极电压（Vdg）：150V
源极-栅极电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
功耗（Pd）：100W
导通电阻（Rds(on)）：0.23Ω（最大值）
输入电容（Ciss）：1100pF
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
2SK3988-01 是一款专为高频功率应用而设计的N沟道MOSFET，具有优异的电气性能和热稳定性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，提高整体系统的效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于实现更快的开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关电源和DC-DC转换器。
该MOSFET的封装采用SOT-227B结构，具有良好的散热性能，并支持表面贴装工艺，适用于自动化生产。在高频应用中，2SK3988-01 的输入电容（Ciss）仅为1100pF，使得其在射频放大器和高速开关电路中表现出色。
此外，2SK3988-01 具有良好的抗过载能力和较高的可靠性，适用于各种工业控制、电源管理和通信设备。其最大漏极-源极电压为150V，最大漏极电流为12A，确保在高负载条件下仍能稳定运行。
2SK3988-01 MOSFET广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电源、工业自动化控制系统、射频功率放大器以及电源管理模块。由于其高频特性和低导通损耗，该器件也常用于音频功率放大器和UPS不间断电源系统。
2SK2698, 2SK3265, IRF150
