时间：2025/6/26 10:08:19
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WPE3374N是一种高性能的MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率放大等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子电路中。
WPE3374N通常被设计用于电源管理、电机驱动以及各类工业控制领域。其增强型结构允许栅极电压控制漏极和源极之间的电流流动，从而实现精确的功率控制。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：18A
脉冲漏极电流(Ip)：54A
导通电阻(Rds(on))：2.9mΩ
总功耗(Ptot)：216W
结温范围(Tj)：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-247
WPE3374N具备低导通电阻，可显著减少功率损耗，提高系统效率。
该器件具有高雪崩能量能力，能够在过载条件下提供额外保护。
快速开关性能使其非常适合高频应用，例如DC-DC转换器和逆变器。
由于采用了坚固耐用的设计，它可以在恶劣的工作环境下长期稳定运行。
此外，WPE3374N符合RoHS标准，确保环保合规性。
WPE3374N广泛应用于各种电力电子设备中，包括但不限于：
1. 开关电源(SMPS)和适配器
2. 电机驱动和控制电路
3. 工业自动化设备中的功率转换
4. LED照明驱动器
5. 电池充电器和管理系统(BMS)
6. 逆变器和不间断电源(UPS)系统
7. 汽车电子中的负载切换和保护
IRF3205
STP18NF50
FDP5570
IXFK18N50T
BUK7Y0R3-40E
