RB095B-90 时间：2025/12/25 11:50:18 阅读：12

RB095B-90是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的表面贴装肖特基势垒二极管（SBD），采用小型HMSM（High Power Small Mold）封装，专为高效率、低功耗的电源应用设计。该器件结合了肖特基势垒二极管固有的低正向压降和快速开关特性，适用于需要高效能整流功能的现代电子设备。RB095B-90的额定平均正向整流电流为1A，最大反向重复峰值电压为90V，使其非常适合用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）、续流二极管以及极性保护等应用场景。其紧凑的封装形式不仅节省了PCB空间，还具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产流程。此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对环保和可靠性的严格要求。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单二极管
　　封装/外壳：HMSM
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：90V
　　最大直流阻断电压（VR）：90V
　　最大平均整流电流（Io）：1A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：30A
　　最大正向电压（VF）：1.2V @ 1A, 25°C
　　最大反向电流（IR）：100μA @ 90V, 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　热阻抗（Rth(j-c)）：25°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2

特性

RB095B-90的核心优势在于其优异的电气性能与紧凑封装的结合。作为一款肖特基势垒二极管，它利用金属-半导体结代替传统的PN结，从而显著降低了正向导通压降（VF）。在1A电流下，其典型正向压降仅为约1.0V至1.2V，远低于普通硅整流二极管的0.7V以上压降叠加效应（实际可达1.4V左右）。这种低VF特性直接转化为更低的导通损耗，提高了系统整体效率，特别适用于电池供电设备或对能效敏感的应用中。
　　该器件具备出色的开关速度，反向恢复时间（trr）极短，通常在纳秒级别，几乎不存在少数载流子存储效应，因此在高频开关电路如DC-DC升压/降压转换器中表现出色，可有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。同时，其最大反向电压为90V，能够在常见的12V、24V甚至48V电源系统中安全运行，提供了足够的电压裕量以应对瞬态过压情况。
　　HMSM封装具有较小的外形尺寸（典型为2.6mm x 1.6mm x 1.1mm），但通过优化内部结构和引线设计实现了较低的热阻（Rth(j-c) = 25°C/W），有助于将工作时产生的热量有效地传导至PCB，提升功率处理能力和长期可靠性。该封装支持回流焊工艺，适用于全自动SMT生产线，提升了制造效率与一致性。
　　RB095B-90的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下仍能稳定工作，适用于工业控制、汽车电子外围电路及消费类电子产品。此外，器件通过AEC-Q101可靠性认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步增强了其在严苛应用中的可信度。整体而言，RB095B-90是一款兼顾高性能、小型化与可靠性的理想整流元件。

应用

广泛应用于各类中低功率电源管理系统中，包括但不限于：开关模式电源（SMPS）中的输出整流或续流二极管；DC-DC转换器（如buck、boost、buck-boost拓扑）中的高速整流元件；太阳能充电控制器中的防逆流保护；电池充放电管理电路中的隔离二极管；适配器和AC-DC电源模块中的次级侧整流；以及各种便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、无线耳机充电盒）中的高效电源路径控制。此外，也可用于信号整流、极性反接保护电路和高频脉冲电路中，发挥其快速响应和低损耗的优势。