时间：2025/6/4 12:42:44
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WPE2291ZP4是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。WPE2291ZP4适用于需要高效率和高可靠性的电子电路设计。
该芯片封装形式为TO-252，能够提供良好的散热性能，同时其引脚布局设计便于焊接和集成到各类PCB板中。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：38A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ
栅极电荷(Qg)：47nC
总电容(Ciss)：1280pF
工作温度范围(Ta)：-55℃ to +175℃
WPE2291ZP4具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，从而提高整体效率。
2. 快速开关能力，支持高频操作，有助于减小滤波元件尺寸。
3. 高电流承载能力，确保在大电流应用场景下的稳定性。
4. 良好的热性能，通过优化的封装设计提升散热效率。
5. 宽泛的工作温度范围，使其适用于各种极端环境下的应用。
6. 符合RoHS标准，环保且无铅。
WPE2291ZP4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，包括适配器、充电器等。
2. DC-DC转换器，用于工业设备、通信设备及汽车电子。
3. 电机驱动控制，如家用电器中的风扇、泵等小型电机。
4. 电池管理系统(BMS)，用于保护锂电池组免受过充或过放影响。
5. 各类电力电子变换器和逆变器。
WPE2291ZP4L, IRF2291ZP4
