时间：2025/6/6 0:45:09
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WPE18VD3BLA是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的制造工艺，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能等特性，能够显著提升系统的效率和可靠性。
其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。此外，WPE18VD3BLA支持大电流处理能力，并具备良好的抗浪涌能力和静电防护特性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：38A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关时间：ton=12ns, toff=20ns
结温范围：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用。
3. 高电流承载能力，满足多种功率需求。
4. 良好的热稳定性和抗浪涌能力，确保在恶劣环境下的可靠运行。
5. 表面贴装封装设计，简化生产工艺，降低制造成本。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
1. 开关电源（SMPS）中的主功率级开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流和高频PWM控制。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护。
5. 工业控制设备中的功率管理模块。
6. 通信电源及便携式设备的高效功率转换解决方案。
IRF3205, FDP16N60, AO3400A
