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GA1206A681KXEBR31G 发布时间 时间:2025/6/5 22:24:21 查看 阅读:9

GA1206A681KXEBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等特点,适合对效率和热性能要求较高的应用环境。
  该型号属于沟道增强型MOSFET系列,具有出色的电气特性和封装稳定性,可显著提升系统整体性能。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):45A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ
  总栅极电荷(Qg):79nC
  输入电容(Ciss):2020pF
  输出电容(Coss):125pF
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

GA1206A681KXEBR31G 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功率损耗并提高效率。
  2. 快速开关特性使得其非常适合高频应用场景,能够降低开关损耗。
  3. 高额定电流能力,支持高达45A的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
  4. 优秀的热性能设计,确保在高功耗环境下保持稳定运行。
  5. 提供了较宽的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适应各种极端环境条件。
  6. 内部结构优化以减少寄生电感和电容,从而提升整体性能。
  7. 符合RoHS标准,环保且可靠。

应用

这款功率MOSFET广泛应用于多种领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. DC-DC转换器中作为高端或低端开关元件。
  3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  4. 各类负载开关和保护电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
  6. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统(BMS)以及牵引逆变器。
  7. 数据中心服务器和通信设备中的高效电源管理模块。

替代型号

GA1206A681KXEBR21G, IRF7843, FDP16N60E

GA1206A681KXEBR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±10%
  • 电压 - 额定500V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-