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WPE13VD3BB 发布时间 时间:2025/6/5 18:16:43 查看 阅读:5

WPE13VD3BB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够在高频应用中提供卓越的效率表现。
  该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管,适用于需要高效能和低功耗的设计场合。其封装形式紧凑,便于在空间受限的环境中使用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:25A
  导通电阻:2.5mΩ
  栅极电荷:78nC
  开关时间:ton=12ns, toff=15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

WPE13VD3BB 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),可有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 高速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
  3. 紧凑的封装设计,节省 PCB 空间,便于小型化设计。
  4. 强大的热性能,确保在高电流负载下稳定运行。
  5. 内置保护机制(如过流保护),提高系统的可靠性和安全性。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。

应用

WPE13VD3BB 的典型应用场景包括:
  1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
  3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
  4. 新能源领域,例如太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
  5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制模块。

替代型号

WPE13VD3BA, IRF3205, FDP15N60

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