时间：2025/6/5 18:16:43
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WPE13VD3BB 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，能够在高频应用中提供卓越的效率表现。
该芯片属于 N 沟道增强型场效应晶体管，适用于需要高效能和低功耗的设计场合。其封装形式紧凑，便于在空间受限的环境中使用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：25A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：78nC
开关时间：ton=12ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WPE13VD3BB 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频操作，适用于开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 紧凑的封装设计，节省 PCB 空间，便于小型化设计。
4. 强大的热性能，确保在高电流负载下稳定运行。
5. 内置保护机制（如过流保护），提高系统的可靠性和安全性。
6. 宽泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的应用需求。
WPE13VD3BB 的典型应用场景包括：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 新能源领域，例如太阳能逆变器和电池管理系统 (BMS) 中的关键组件。
5. 汽车电子系统中的电源管理和驱动控制模块。
WPE13VD3BA, IRF3205, FDP15N60
