时间：2025/9/2 11:44:21
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HY27UF084G2B-TPCB 是由Hynix（现为SK Hynix）生产的一款NAND闪存芯片。该芯片属于8GB容量级别的中端存储器件，广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及嵌入式系统中。这款NAND闪存芯片采用2GB Die堆叠技术，具备较高的存储密度，同时支持8位并行I/O接口，适合对数据读写速度有一定要求的应用场景。
容量：4GB（实际可用容量约为3.7GiB，基于512KB页大小）
工艺制程：基于50nm或40nm技术制造
封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package），52引脚
电压范围：2.7V至3.6V
接口类型：8位并行NAND接口
页大小：4KB（2KB x 2）
块大小：128KB（64页/块）
擦写周期：约10,000次（P/E Cycle）
数据保持时间：10年
HY27UF084G2B-TPCB 是一款多层单元（MLC）NAND闪存芯片，相比单层单元（SLC）NAND具有更高的存储密度和更低的成本，同时在耐用性和数据保留方面仍优于TLC（Triple-Level Cell）NAND。该芯片支持ECC（错误校正码）功能，通常需要控制器提供错误校正支持，以确保数据完整性。其采用的TSOP封装方式适用于传统PCB布局，具有良好的热稳定性和机械稳定性。
该器件支持页编程和块擦除操作，适合用于需要频繁更新数据的存储系统。此外，HY27UF084G2B-TPCB 支持低功耗模式，有助于延长便携式设备的电池寿命。由于其并行接口设计，它在数据传输速度上优于串行NAND器件，适用于需要中等性能存储的应用场景，如数码相机、MP3播放器、工业控制设备等。
HY27UF084G2B-TPCB 常用于各种嵌入式系统和消费电子产品中，例如数码相机、便携式媒体播放器、GPS导航设备、智能电视、机顶盒、工业控制模块以及部分老款智能手机和平板电脑的存储扩展。此外，它也可用于需要可靠存储介质的工业自动化设备和数据采集系统。
HY27UF084G2M-TPCI, K9F4G08U0C-PCB0, NAND512R4A2BNZ, S34ML04G200TFI00
