时间：2025/6/6 14:40:15
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WPE12VD3ULA 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率开关器件，广泛应用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等场景。该芯片具有出色的导通电阻和快速开关特性，能够显著提升系统效率并减小设计尺寸。其封装形式为超小型表面贴装器件（SMD），适用于高密度电路板布局。
型号：WPE12VD3ULA
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压：600 V
连续漏极电流：12 A
导通电阻：150 mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：45 nC（典型值）
输入电容：1500 pF（典型值）
反向恢复时间：无（因无体二极管）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：DFN8
WPE12VD3ULA 的主要特性包括高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度。它采用了先进的氮化镓材料，与传统硅基MOSFET相比，具有更低的开关损耗和更高的工作频率，这使得它可以用于更紧凑、更高效率的电源解决方案。
此外，这款器件没有体二极管，从而消除了反向恢复损耗，进一步提升了效率表现。同时，其超小型封装设计有助于节省PCB空间，适合对体积要求严格的现代电子设备应用。
WPE12VD3ULA 广泛应用于高频硬开关和软开关拓扑中，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源适配器
2. 数据中心电源
3. 电动车充电设备
4. 无线充电发射端
5. 工业用 DC-DC 转换模块
6. LED 驱动电源
7. 光伏逆变器
由于其高效的性能和高温稳定性，该器件非常适合需要高功率密度和节能效果的场合。
WPE10VD3UHA, WPE15VD3ULB
