时间：2025/6/25 14:19:45
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WPE1271ZP4是一款高性能的功率MOSFET器件，采用先进的半导体制造工艺。该芯片主要应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。其设计旨在提供高效率和低损耗，适合于要求严格的工业和消费电子应用。
WPE1271ZP4采用了优化的沟槽式结构，具有较低的导通电阻和栅极电荷，从而显著提高了开关性能和整体系统效率。同时，它还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能。
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-252 (DPAK)
漏源电压(Vds)：60V
连续漏极电流(Id)：36A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ
栅极电荷(Qg)：38nC
总功耗(Ptot)：25W
工作温度范围(Ta)：-55°C to +175°C
WPE1271ZP4具有以下关键特性：
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高整体效率。
2. 高速开关性能，得益于其优化的栅极电荷设计，可显著减少开关损耗。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下的可靠运行。
4. 高击穿电压（Vds），增强了器件的耐压能力，适用于多种应用场景。
5. 小型化封装，节省PCB空间，便于系统集成。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场的法规要求。
WPE1271ZP4广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器中的高端和低端开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 消费类电子产品中的电池充电管理。
6. 照明系统的调光和功率控制。
7. 通信设备中的电源模块设计。
WPE1271ZP3, WPE1271ZP5, IRF540N
