时间：2025/7/10 4:05:08
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WPE0521FP6是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，专为高频和高效能应用设计。它采用DFN8封装形式，具有极低的导通电阻和高开关速度，适合于电源管理、适配器、无线充电以及D类音频放大器等应用场景。该器件通过优化的栅极驱动设计，能够显著降低开关损耗，并提高整体系统的效率。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：5.2A
导通电阻：140mΩ
栅极电荷：30nC
反向恢复时间：20ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
1. 高效的氮化镓技术提供卓越的开关性能和低导通电阻。
2. 内置快速恢复二极管以减少开关损耗。
3. 小型化的DFN8封装有助于节省PCB空间。
4. 具备良好的热稳定性，可在极端温度条件下可靠运行。
5. 支持高频操作，可实现更小的磁性元件设计，从而减小系统体积。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
1. 快速充电器及适配器设计。
2. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
3. 无线充电发射端与接收端电路。
4. D类音频放大器中的高效开关级。
5. LED驱动器中的同步整流应用。
6. 工业控制领域中的电机驱动和逆变器模块。
WPE0521FQ6
GAN0521DP6
