WPCN383UA0MG 时间：2025/8/21 6:26:00 阅读：9

WPCN383UA0MG 是由东芝（Toshiba）生产的一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管，专为高效率功率转换应用设计。该器件采用了先进的沟槽栅极和屏蔽栅极技术，具备较低的导通电阻和优异的开关性能。WPCN383UA0MG 封装形式为SOP（小外形封装），适用于各种电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：120A
　　最大漏源电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ
　　栅极电压范围：-20V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

特性

WPCN383UA0MG MOSFET具有多项显著特性，使其在功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为3.8mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流可达120A，适用于高电流负载应用。此外，最大漏源电压为30V，适合用于中等电压功率转换系统。WPCN383UA0MG采用SOP封装，具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，提高了制造效率。
　　该MOSFET的栅极电压范围为-20V至+20V，提供了更高的驱动灵活性，确保在不同驱动条件下都能稳定工作。器件的工作温度范围宽，可在-55°C至+175°C之间运行，适用于严苛的工业和汽车环境。同时，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了其在突发负载或电压波动情况下的可靠性。此外，WPCN383UA0MG还具备快速开关特性，降低了开关损耗，有助于提高整体系统效率。其屏蔽栅极结构有效降低了米勒电容，从而减少高频开关过程中的干扰，提升稳定性。

应用

WPCN383UA0MG广泛应用于多种高功率电子系统中。它常用于DC-DC降压和升压转换器，特别是在高电流输出需求的电源模块中，如服务器电源、电信设备电源以及工业自动化系统的电源部分。该器件也可用于电机驱动和电机控制电路，如电动车、电动工具以及工业电机控制器。此外，WPCN383UA0MG适用于电池管理系统（BMS），作为高效率的充放电控制开关。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、车身控制模块以及车载信息娱乐系统的电源管理单元。其高电流能力和良好的热性能也使其适用于高功率LED照明驱动和不间断电源（UPS）系统。