工作电压范围：4.5V 至 20V
　　高侧驱动电压能力：最高可达 200V（典型值）
　　低侧驱动电压能力：0V 至 VDD
　　输出驱动电流（峰值）：±5A（典型值）
　　传播延迟时间：约 10ns（典型值）
　　上升/下降时间：约 5ns（典型）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装形式：8引脚 SOIC（宽体）
　　符合 RoHS 标准

FAN7383MX_WS 具备多项高性能特性，适用于高频开关电源设计。其高压侧浮动电源设计支持高达200V的电压，使得该芯片非常适合用于高侧MOSFET的驱动。该芯片内部集成了自举二极管，简化了外围电路设计。
　　该驱动器具有快速的响应能力，传播延迟时间仅为10ns左右，上升和下降时间约为5ns，有助于提高电源系统的效率并降低开关损耗。其±5A的峰值输出电流能力可以有效驱动大功率MOSFET，保证开关动作的迅速和稳定。
　　为了提高系统可靠性，FAN7383MX_WS 还具备欠压锁定（UVLO）保护功能，当供电电压低于安全阈值时，驱动器输出将自动关闭，防止MOSFET在非理想条件下工作。此外，该芯片采用宽体SOIC封装，增强了抗噪声干扰能力，适合工业环境下的高可靠性应用。
　　由于其紧凑的封装和高度集成的设计，FAN7383MX_WS 在PCB布局上占用空间小，适合用于高密度电源模块的设计。该芯片还具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+125°C的宽温度范围内稳定工作，适用于各种严苛环境。

FAN7383MX_WS 常用于各类高功率密度的电源系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的电源模块。它也广泛应用于电动车、储能系统、太阳能逆变器等需要高效MOSFET驱动方案的领域。
　　在半桥或全桥拓扑结构中，FAN7383MX_WS 能够同时驱动高侧和低侧MOSFET，提供快速、可靠的开关控制，确保系统高效运行。由于其高耐压能力和快速响应特性，该芯片在LLC谐振转换器、ZVS（零电压开关）电路等高频应用中表现出色。
　　此外，FAN7383MX_WS 也可用于驱动IGBT，适用于需要高电压、大电流驱动能力的工业控制系统中。其集成的保护机制和高抗噪性能，使其在电磁干扰较严重的工业环境中仍能保持稳定工作。

Si8235BB-D-ISR, IR2110SPBF, NCP5101DR2G