时间：2025/8/1 10:40:50
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WP7-P010VA1-R6000 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件主要用于电源管理和开关应用，具有较低的导通电阻和高效率的特点。它适用于各种电子设备，如电源适配器、DC-DC 转换器和负载开关等。该 MOSFET 采用小型封装设计，便于在高密度 PCB 布局中使用。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：-10A
最大漏极-源极电压（VDS）：-100V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：约 0.17Ω @ VGS = -10V
功耗（PD）：30W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
WP7-P010VA1-R6000 具备多项优良特性，使其在功率管理应用中表现出色。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(ON)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。这在需要高效率的 DC-DC 转换器和负载开关应用中尤为重要。
其次，该 MOSFET 支持较高的漏极-源极电压（VDS），最大为 -100V，这使其适用于中高电压电源管理系统。此外，栅极-源极电压范围为 ±20V，使其能够兼容多种驱动电路设计，包括使用 12V 或 15V 驱动电源的系统。
该器件的封装设计紧凑，有利于节省 PCB 空间，并支持高密度布局。这在现代电子设备中尤为关键，尤其是在空间受限的应用中。
此外，WP7-P010VA1-R6000 还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行（-55°C 至 150°C），适用于各种工业和消费类电子设备。
WP7-P010VA1-R6000 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效率和低导通损耗的场合。常见的应用包括电源适配器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及各种工业控制设备。由于其支持较高的漏极-源极电压，该 MOSFET 也常用于需要隔离和保护功能的电路中。此外，其紧凑的封装设计使其适用于空间受限的便携式电子产品。
Si4435BDY-T1-GE3, FDS6680, IRF9Z24N, FDV303P
