时间：2025/4/30 17:47:21
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WP27D-S050VA3-R15000 是一款高性能的功率 MOSFET，主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具备低导通电阻和快速开关特性，能够有效提升系统的效率和稳定性。
该型号中的 WP27D 表示其为 N 沟道增强型 MOSFET，S050VA3 标识封装类型为 SOT-223 封装，而 R15000 则表示其典型导通电阻值（在特定条件下）为 1.5mΩ。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：2050pF
反向传输电容：35pF
最大功耗：160W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WP27D-S050VA3-R15000 的主要特性包括超低导通电阻，能够在高电流应用中显著降低功耗；同时其快速开关性能有助于减少开关损耗，提高整体效率。此外，该器件具备较高的雪崩耐量和热稳定性，能够在恶劣的工作环境下保持可靠运行。
该 MOSFET 的沟槽式结构设计使其具有更小的芯片尺寸和更高的电流密度，非常适合用于空间受限的设计场景。其 SOT-223 封装形式提供了良好的散热性能，能够满足高功率应用的需求。
WP27D-S050VA3-R15000 广泛应用于各类电力电子设备中，例如高效能 DC-DC 转换器、同步整流电路、电池管理系统（BMS）、工业电机驱动、汽车电子系统等。
由于其出色的性能表现，在新能源领域也有广泛应用，比如电动汽车充电桩、太阳能逆变器和储能系统等。此外，它还可以作为负载开关使用，在服务器电源和通信设备中起到关键作用。
IRFZ44N
FDP5570
STP110N2L
IXFN110N2T2
