WOST04C 时间：2025/12/26 21:15:30 阅读：10

WOST04C是一款由WinOne（万代半导体）推出的高性能、低功耗的N沟道功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动及各类开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽栅极工艺制造，具备优异的导通电阻与栅极电荷平衡特性，能够在高频率开关应用中实现较低的传导损耗和开关损耗，从而提升整体系统效率。WOST04C封装形式为SOT-23，属于小型表面贴装封装，适合对空间要求严苛的便携式电子设备。其引脚配置符合标准三极管排列，便于在PCB布局中替换同类MOSFET产品。该器件工作温度范围宽，通常支持-55°C至+150°C的结温范围，确保在恶劣环境下的可靠运行。WOST04C因其高性价比和稳定性能，被广泛用于消费电子、工业控制、通信设备以及电池供电系统等领域。作为一款通用型功率开关器件，它在低电压、中等电流的应用场景中表现出色，尤其适用于同步整流、负载开关、LED驱动等电路拓扑结构。此外，该器件具有良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护特性，增强了系统在瞬态条件下的鲁棒性。

参数

型号：WOST04C
　　类型：N沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：1.8A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：7A
　　导通电阻（Rds(on)）：35mΩ @ Vgs=10V, Id=1.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=4.5V, Id=1.5A
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：120pF @ Vds=15V
　　输出电容（Coss）：90pF @ Vds=15V
　　反向传输电容（Crss）：20pF @ Vds=15V
　　栅极电荷（Qg）：6nC @ Vgs=10V
　　开启延迟时间（td(on)）：5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　热阻（RθJA）：250°C/W

特性

WOST04C采用先进的沟槽型场效应晶体管结构设计，具备出色的电气性能与热稳定性，能够满足多种高频开关应用的需求。其低导通电阻特性显著降低了在导通状态下的功率损耗，特别适用于需要高效率能量转换的场合。例如，在便携式设备的电源管理系统中，该器件可以有效延长电池续航时间。同时，由于其栅极电荷较小，驱动所需的能量也相应减少，使得控制器能够以更高的频率驱动MOSFET而不至于造成过大的驱动损耗，这在高频DC-DC变换器中尤为重要。器件的阈值电压范围适中，确保了在不同输入信号条件下都能可靠开启，避免因噪声干扰导致误触发。
　　此外，WOST04C具有良好的热性能表现，尽管其封装尺寸较小，但通过优化芯片布局和封装材料，实现了较为理想的散热能力。在实际应用中，即使在较高环境温度下也能保持稳定的电气参数，防止因温升导致性能下降或损坏。该器件还具备较强的抗瞬态过压能力，能承受一定程度的电压尖峰，提升了系统的可靠性。其内部结构经过优化，减少了寄生电感和电容的影响，有助于抑制开关过程中的振铃现象，降低电磁干扰（EMI）。
　　WOST04C的SOT-23封装不仅体积小巧，而且兼容自动化贴片生产工艺，适合大规模生产使用。该封装形式在PCB上占用空间小，有利于实现高密度电路集成。同时，其引脚排列标准化，便于与其他厂商的同类产品进行替换或升级。总体而言，WOST04C是一款集高性能、高可靠性与高集成度于一体的功率MOSFET器件，适用于对效率、尺寸和成本均有较高要求的应用场景。

应用

WOST04C广泛应用于各类中小功率电子系统中，典型用途包括便携式电子设备中的电源开关、电池充放电管理电路、DC-DC升压或降压转换器、LED背光驱动电路以及电机驱动模块中的低端开关。在移动电源、智能手表、无线耳机等消费类电子产品中，常用于实现负载开关功能，控制电源通断以节省能耗。在工业控制领域，可用于传感器供电控制、继电器驱动接口或PLC模块中的信号切换。此外，该器件也可用于通信设备中的电源管理单元，如路由器、交换机的辅助电源电路。由于其具备良好的高频响应能力，因此在开关电源（SMPS）中作为同步整流管使用时，可有效提高转换效率并减少发热。在嵌入式系统中，常用于GPIO扩展后的功率驱动环节，用以控制风扇、蜂鸣器或其他外设模块的启停。其高可靠性也使其适用于汽车电子中的非关键性低压控制电路，如车内照明控制或USB充电接口的电源管理。总之，凡是需要一个小型化、高效能N沟道MOSFET来实现电压或电流开关控制的场合，WOST04C都是一个理想的选择。