时间：2025/4/29 16:30:39
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WNM10315DN是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，广泛应用于需要高效功率转换的场景中。其封装形式为TO-263，适用于表面贴装技术（SMT），并具备良好的散热性能。
型号：WNM10315DN
类型：N沟道MOSFET
封装：TO-263
Vds（漏源极电压）：100V
Rds(on)（导通电阻）：15mΩ
Id（连续漏极电流）：31A
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.5V
fmax（最大工作频率）：5MHz
Ptot（总功耗）：118W
WNM10315DN的主要特性包括低导通电阻（Rds(on)仅为15mΩ），这使得它在功率应用中能够有效降低传导损耗。同时，其快速开关能力使其非常适合高频开关电路，例如DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等应用。
此外，该器件的高击穿电压（Vds为100V）确保了其在高压环境下的可靠运行。WNM10315DN还支持低至2.5V的栅极驱动电压，这与现代低压逻辑电路兼容，从而简化了设计过程。
该器件采用TO-263封装，这种封装形式不仅支持高效的热传导，还允许自动化的表面贴装生产，提高了制造效率。
WNM10315DN适用于多种功率电子领域，包括但不限于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）中的功率级开关元件。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流开关。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 电池管理系统（BMS）中的负载切换开关。
5. 逆变器电路中的功率开关。
由于其优异的电气特性和可靠性，WNM10315DN成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
WNM10320DN, IRFZ44N, FDP5500
