WNM03358DN 是一款高性能的 N 沃特曼(Wotermann)品牌的功率 MOSFET 器件,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等场景。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著降低功耗并提高系统效率。
WNM03358DN 属于增强型 N 沟道 MOSFET,适用于中高压应用场景,具备出色的电气性能和可靠性,能够在较宽的工作电压范围内保持稳定的性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:0.45Ω
栅极电荷:22nC
开关时间:t_on=35ns, t_off=95ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
WNM03358DN 具有以下关键特性:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少导通损耗,提升整体效率。
2. 快速的开关速度,适合高频应用环境。
3. 高雪崩击穿能量能力,确保在异常条件下仍能可靠运行。
4. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
5. 采用 DPAK 封装形式,具备良好的散热性能。
6. 出色的热稳定性和电气稳定性,适应严苛的工作条件。
WNM03358DN 可广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各类负载切换和保护电路。
5. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
6. LED 照明驱动电路中的开关元件。
IRF840, STP17NF50, FQP17N60