时间：2025/6/5 10:32:43
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WNM03330DR 是一款高性能的 N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），主要用于功率转换和电机驱动等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能。
WNM03330DR 的封装形式通常为 TO-263（DPAK），这使其非常适合空间有限的设计场景，并能提供高效的功率传输能力。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：33A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：45nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WNM03330DR 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下可达到 3.5mΩ，从而减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 33A 的连续漏极电流。
3. 快速开关性能，得益于较小的栅极电荷值 (45nC)，可以降低开关损耗。
4. 强大的热稳定性，能够在 -55℃ 至 +175℃ 的宽温范围内可靠运行。
5. 小尺寸 DPAK 封装，节省 PCB 空间并简化设计布局。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子设备要求。
WNM03330DR 广泛应用于各种需要高效功率管理的场合，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的核心功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的大电流控制模块。
6. 可再生能源领域中的逆变器组件。
IRL3103PBF, FDP5570N
