时间：2025/9/2 20:12:49
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H9CCNNNCPTMLBR-NUD 是由SK hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。这款DRAM芯片采用了先进的工艺技术，提供了较高的存储密度和稳定性，广泛应用于服务器、个人电脑、嵌入式系统等领域。该型号属于DDR4 SDRAM（双倍数据速率第四代同步动态随机存取存储器）类别，具备低功耗、高带宽和高性能的特点，适用于对内存性能要求较高的计算环境。
类型：DRAM
系列：DDR4 SDRAM
容量：2GB
电压：1.2V
速度：2400MHz / 19-19-19
封装：FBGA
引脚数：78球
工作温度：0°C 至 +85°C
数据宽度：x16
时钟频率：2400MHz
数据传输速率：2400MT/s
刷新周期：64ms
JEDEC标准：符合DDR4标准
H9CCNNNCPTMLBR-NUD 采用先进的DDR4技术，具备出色的性能和稳定性。其低电压设计（1.2V）不仅降低了功耗，还减少了热量的产生，适用于高性能计算设备的内存扩展需求。相比上一代DDR3内存，DDR4在数据传输速率、能效比和容量方面都有显著提升。此外，该芯片支持多种突发长度和预取功能，能够优化数据访问效率，提高整体系统性能。其封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有良好的电气性能和机械稳定性，适合高密度内存模块的设计。
这款DRAM芯片具备自动刷新和自刷新功能，能够在不丢失数据的情况下进入低功耗模式，适用于对功耗敏感的应用场景。同时，其内部纠错机制和先进的工艺技术确保了数据的完整性与可靠性，能够在复杂电磁环境下稳定运行。此外，H9CCNNNCPTMLBR-NUD 支持多种工作模式，包括突发模式、连续模式和低功耗模式，能够根据不同的应用需求进行灵活配置，满足不同设备对内存性能的需求。
H9CCNNNCPTMLBR-NUD 主要应用于需要高性能和高稳定性的电子设备中，例如服务器、台式机、笔记本电脑、工作站、嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。由于其高带宽和低功耗的特性，它也非常适合用于需要长时间运行和高可靠性要求的工业和企业级应用。此外，该芯片还可以用于高端游戏机、图形处理设备和高性能计算平台，提供快速的数据访问和稳定的运行表现。
在服务器和数据中心领域，H9CCNNNCPTMLBR-NUD 能够为虚拟化、云计算和大数据处理等应用提供强大的内存支持，提高系统的响应速度和处理能力。在消费类电子产品中，该芯片可用于提升设备的运行效率，增强多任务处理能力和图形渲染性能。此外，它还可以用于通信设备和网络基础设施，为高速数据传输和网络处理提供可靠的内存支持。
H9CCNNNCPTMLBR-NUR, H9CCNNNCPTMLAR-NUR, H9CCNNNCPTMLBR-NUH
