WLD2-G 时间：2025/12/27 0:13:47 阅读：9

WLD2-G是一款由WeEn Semiconductors（瑞萨电子旗下）生产的双通道激光二极管驱动器，专为高速光通信应用中的精确激光控制而设计。该器件主要用于驱动FP（Fabry-Perot）、DFB（Distributed Feedback）或EML（Electro-absorption Modulated Laser）等类型的激光二极管，适用于10Gbps至25Gbps甚至更高速率的光纤通信系统。WLD2-G集成了自动功率控制（APC）、自动电流控制（ACC）以及多种保护功能，确保激光器在长时间运行中保持稳定输出，同时防止过流、过温等异常情况对激光器造成损害。该芯片采用小型化封装，具有良好的热性能和电磁兼容性，适合在紧凑型光模块如SFP+、XFP、QSFP等中使用。
　　WLD2-G通过外部电阻网络或I2C接口实现对偏置电流和调制电流的精确调节，支持数字诊断监控功能（DDM），能够实时反馈激光器的工作状态，包括偏置电流、工作温度、输出光功率等关键参数。这种高度集成的设计不仅减少了外围元件数量，还提高了系统的可靠性与可维护性。此外，WLD2-G具备快速响应的调制能力，支持NRZ（非归零码）和PAM4（四电平脉冲幅度调制）等多种信号格式，适应现代数据中心、5G前传/中传网络以及城域网对高带宽、低延迟传输的需求。

参数

类型：双通道激光二极管驱动器
　　工作电压：3.3V典型值
　　最大输出电流：每通道可达150mA
　　调制速率：支持高达25Gbps per channel
　　接口类型：模拟控制或I2C数字接口
　　封装形式：QFN或Mini Small Outline Package (MSOP)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　集成功能：自动功率控制（APC）、偏置电流监控、温度监测输入
　　电源管理：低功耗待机模式，可编程关断功能
　　保护机制：过流保护、过温保护、开路/短路检测

特性

WLD2-G的核心特性之一是其双通道独立驱动能力，允许在同一封装内同时控制两个独立的激光二极管，这在需要多波长或多通道传输的应用中极具优势，例如CWDM（粗波分复用）或LR4（4x25G LAN WDM）光模块。每个通道均可独立配置偏置电流和调制电流，支持精细的电流调节精度，通常达到±1%以内，从而保证了激光输出的一致性和稳定性。该器件内部集成了高性能的DAC（数模转换器）和ADC（模数转换器），用于实现闭环控制下的自动功率调节（APC），即使在环境温度变化或器件老化的情况下也能维持恒定的光输出功率。
　　另一个显著特点是其强大的监控与诊断功能。WLD2-G支持数字诊断接口（如I2C），可以实时读取各通道的偏置电流、TEC电流（若配合热电冷却器使用）、内部温度以及光电二极管反馈信号。这些数据可通过主机MCU进行分析，实现故障预警、寿命预测和远程调试，极大提升了光模块的智能化水平。此外，芯片内置的预加重电路可补偿高频信号在PCB走线或连接器中的损耗，改善眼图质量，提升信号完整性。
　　在可靠性方面，WLD2-G具备完善的保护机制。当检测到激光背向光二极管（Monitor PD）开路或短路时，芯片会自动限制或关闭对应通道的输出，防止误操作导致激光损坏。过温保护功能会在芯片温度超过安全阈值时降低输出功率或进入关断状态。所有这些特性共同确保了激光器在整个生命周期内的安全可靠运行，符合Telcordia GR-468-CORE等工业级可靠性标准。

应用

WLD2-G广泛应用于高速光通信模块中，尤其是在10G、25G和100G（4x25G）以太网、OTN（光传送网）、CPRI/eCPRI无线前传链路以及数据中心互连（DCI）场景中发挥关键作用。它常用于SFP+、SFP28、QSFP28等可插拔光模块中，作为驱动DFB或EML激光器的核心IC。在5G网络部署中，WLD2-G可用于分布式单元（DU）与射频单元（RU）之间的中传（mid-haul）和前传（fronthaul）光模块，支持低抖动、高线性的模拟信号传输，满足eMBB（增强移动宽带）业务对高吞吐量的需求。
　　此外，在有源光缆（AOC）和高速直连铜缆（DAC）替代方案中，WLD2-G也扮演着重要角色。其小尺寸和低功耗特性使其非常适合于高密度交换机、路由器和服务器接口板上的集成设计。在企业网和校园网环境中，搭载WLD2-G的光模块可用于构建万兆骨干网络，提供稳定可靠的点对点或多点通信链路。
　　由于支持PAM4调制格式的预驱动能力，WLD2-G还可扩展应用于下一代200G和400G光模块的子系统中，特别是在采用PAM4编码的2x100G或4x50G架构中作为调制驱动单元的一部分。其灵活的接口配置和宽泛的工作温度范围也使其适用于工业级和户外通信设备，在恶劣环境下仍能保持优异性能。