WL2810D30-4/TR 是一款基于 GaN(氮化镓)技术的高效功率开关器件,广泛应用于高频电源转换、快速充电器和 DC-DC 转换器等场景。该芯片采用了先进的封装工艺,能够显著提升系统的效率与功率密度,同时降低热损耗。
WL2810 系列器件通过优化栅极驱动设计,支持高频工作模式,从而减小了外部元件体积,并降低了系统整体成本。它具有高击穿电压、低导通电阻以及快速开关特性。
型号:WL2810D30-4/TR
类型:GaN 功率晶体管
Vds(漏源极耐压):650V
Rds(on)(导通电阻):150mΩ
Qg(总栅极电荷):30nC
Id(连续漏极电流):8A
Vgs(栅源极电压):-8V 至 +6V
封装形式:TO-252/DPAK
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
WL2810D30-4/TR 提供了卓越的性能表现,主要特点包括以下:
1. 高击穿电压:高达 650V 的 Vds 可确保其在高压环境下的稳定运行。
2. 极低的导通电阻:仅为 150mΩ,有效减少导通损耗。
3. 快速开关能力:得益于 GaN 技术,其开关速度远超传统硅基 MOSFET,有助于实现更高的频率操作。
4. 小型化封装:采用 TO-252/DPAK 封装,节省 PCB 布局空间。
5. 宽工作温度范围:从 -55℃ 至 +150℃,适应各种恶劣工况。
6. 高效节能:适用于需要高效率及高功率密度的设计方案。
WL2810D30-4/TR 主要应用于以下领域:
1. 消费类电子:如 USB PD 快充适配器、无线充电器。
2. 工业设备:高频 AC-DC 和 DC-DC 转换器、电机驱动电路。
3. 通信电源:基站供电模块、服务器电源管理。
4. 光伏逆变器:微型逆变器和储能系统中的功率转换部分。
5. 汽车电子:车载充电器(OBC)、DC-DC 转换器等。
其高频特性和高效性能使其成为众多现代电力电子应用的理想选择。
WL2810D30-4/HR, WL2810D30-4/LR