时间：2025/7/22 5:25:36
阅读：13
STH160N4LF6-2是一款N沟道增强型功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产。该器件设计用于高电流、高效率的应用，例如电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等。该MOSFET采用先进的技术，具有低导通电阻（Rds(on)），确保在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：160A
最大漏-源电压（VDS）：40V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约1.6mΩ（典型值，具体取决于VGS）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装（SMD）
STH160N4LF6-2具有多项高性能特性，适用于高功率密度设计。
首先，该MOSFET的导通电阻非常低，可显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得它非常适合用于高电流应用，如服务器电源、电信设备和电池管理系统。
其次，该器件采用了先进的沟槽式栅极结构技术，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和耐用性。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
另外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，通常支持从4.5V到10V的VGS电压，这使得它可以兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。
最后，STH160N4LF6-2符合RoHS环保标准，且具备高抗静电能力，适用于各种工业和消费类电子应用。
STH160N4LF6-2广泛应用于需要高效能功率管理的电子设备中。例如，它常用于DC-DC降压和升压转换器中作为主开关器件，以提高转换效率并减小电源模块的尺寸。
在服务器和电信设备的电源系统中，这款MOSFET用于负载开关和多相电源管理，以实现高电流输出和低功耗设计。
此外，该器件也适用于电机驱动和电池管理系统，如电动工具、电动车和储能系统中，能够提供稳定的功率控制和较高的能效。
由于其优异的热性能和紧凑的封装设计，STH160N4LF6-2也可用于空间受限的便携式电子产品中，例如高端笔记本电脑、智能电源管理模块等。
STL160N4LF6-2, IPW90R015C3, SiR182DP
