时间：2025/4/27 10:07:06
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WL2003E28G-5/TR 是一款高性能的闪存存储芯片，采用先进的 NAND Flash 技术制造。该芯片主要应用于嵌入式系统、消费类电子产品和工业控制设备中，提供大容量的数据存储解决方案。
WL2003E28G-5/TR 的核心优势在于其高密度存储能力和快速的数据读写速度。该产品兼容多种接口协议，并支持广泛的温度范围，使其在恶劣环境下依然能够稳定运行。
容量：28GB
接口类型：SPI NOR Flash
工作电压：2.7V 至 3.6V
数据传输速率：高达 104MB/s
擦除/编程周期：3000 次
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：WSON8（8 引脚超薄小外形封装）
待机电流：小于 1μA
WL2003E28G-5/TR 提供了卓越的性能表现和可靠性。
1. 高密度存储：通过优化的架构设计，该芯片能够以更小的体积实现更高的存储容量。
2. 快速读写：采用高速 SPI 接口，确保数据传输效率。
3. 超低功耗：无论是正常运行还是待机状态，都能有效降低能耗。
4. 宽温支持：能够在极端温度条件下保持稳定的性能输出。
5. 数据保护机制：内置 ECC（错误校正码）功能，可显著提升数据完整性与可靠性。
6. 小型化封装：WSON8 封装形式不仅节省空间，还便于集成到各种紧凑型设计中。
WL2003E28G-5/TR 广泛应用于需要大容量存储和高可靠性的场景。
1. 工业控制：如 PLC、HMI 等设备中的固件存储和数据记录。
2. 消费类电子：包括数码相机、智能音箱和其他便携式设备。
3. 嵌入式系统：用于物联网设备、网络路由器及通信模块中的代码存储。
4. 医疗设备：如监护仪、便携式诊断设备等对数据完整性要求较高的场合。
5. 汽车电子：适用于导航系统、行车记录仪等车载应用领域。
MX25L25635E, W25Q256JV, GD25Q256C
