型号：WL08JT15N
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：15V
　　最大连续漏极电流（Id）：8A
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值1.1V，最大值1.4V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值6.5mΩ（当Vgs=4.5V时），最大值8.5mΩ（当Vgs=2.5V时）
　　栅极阈值电压测试条件：Vds = Vgs, Id = 250μA
　　输入电容（Ciss）：约1200pF（在Vds=5V, Vgs=0V, f=1MHz下测量）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：典型值为1.4W（在TA=25°C条件下）
　　极性：增强型MOSFET

WL08JT15N采用先进的沟槽型MOSFET工艺，具备极低的导通电阻，这使得在大电流通过时能够显著降低功率损耗，提升整体能效。其Rds(on)在Vgs=4.5V时仅为6.5mΩ，在同类产品中处于领先水平，特别适合用于电池供电设备中的电源开关或负载切换，有助于延长电池续航时间。
　　该器件具有快速的开关响应能力，得益于较小的栅极电荷（Qg）和低输入电容，能够在高频开关应用中表现出色，例如在同步整流型DC-DC转换器中作为下管使用。同时，低阈值电压（Vgs(th)）允许其在低至1.8V的逻辑电平下可靠开启，兼容现代微控制器和低压数字IC的输出信号，无需额外的电平转换电路。
　　热稳定性方面，WL08JT15N通过优化芯片结构和封装材料，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大工作结温可达150°C，并配备良好的散热路径，确保长时间运行下的可靠性。SOT-23封装虽小，但经过严格测试验证，可在回流焊过程中承受高温冲击，满足工业级和消费级产品的制造要求。
　　此外，该MOSFET具备较强的抗静电能力（ESD保护），并内置一定的体二极管，可用于感性负载关断时的能量泄放，减少外部保护元件的数量，简化电路设计。整体而言，WL08JT15N是一款高性能、高集成度的小信号MOSFET，兼顾效率、尺寸与成本，适用于多种中低功率应用场景。

WL08JT15N主要应用于各类需要高效、小型化开关元件的电子设备中。常见用途包括便携式消费类电子产品中的电源管理模块，如智能手机和平板电脑内的电池充放电控制电路，用于实现过流保护和负载开关功能。其低导通电阻和快速响应特性使其非常适合用于DC-DC降压或升压变换器中的同步整流开关，提高电源转换效率，减少发热。
　　在LED照明驱动电路中，该器件可作为恒流源的开关控制部分，实现精确的亮度调节和节能运行。同时，由于其支持低电压驱动，常被用于由微处理器GPIO直接控制的信号切换场景，例如外设使能控制、传感器电源开关或音频通道选择等。
　　工业控制领域中，WL08JT15N可用于PLC输入输出模块的小功率驱动电路，或作为继电器、蜂鸣器等执行机构的驱动开关。此外，在电池管理系统（BMS）中，它可以作为单节锂电池的保护开关，配合保护IC完成过充、过放和短路保护功能。
　　由于其SOT-23封装体积小巧，也广泛用于可穿戴设备、无线耳机、智能手表等对空间高度敏感的产品中。总体来看，WL08JT15N凭借其优异的电气特性和紧凑封装，已成为众多中低端功率开关应用的理想选择。

SI2302,DMG2302U,MCH2214,NTR4101P