电容: 68 pF
　　容差: ±5%
　　额定电压: 50 V
　　温度特性: C0G (NP0)
　　工作温度范围: -55°C ~ +125°C
　　封装/外壳: 0402（1005 公制）
　　介质材料: C0G (NP0)
　　产品类型: 多层陶瓷电容器（MLCC）
　　安装类型: 表面贴装（SMD）
　　高度: 0.55 mm
　　长度: 1.0 mm
　　宽度: 0.5 mm
　　老化率: 0%/decade
　　直流偏压效应: 极低
　　等效串联电阻（ESR）: 极低
　　自谐振频率（SRF）: 高达数百MHz量级
　　温度系数: 0 ±30 ppm/°C

CAT10-680J4LF所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质材料是所有电容器介质中稳定性最高的类型之一，能够在整个工作温度范围内提供几乎恒定的电容值。这种材料的温度系数为0 ±30 ppm/°C，意味着即使在极端环境条件下，例如从低温-55°C上升至高温+125°C时，电容值的变化可以忽略不计。这一特性使其成为对频率稳定性要求极高的电路中的理想选择，如石英晶体振荡器、锁相环（PLL）、压控振荡器（VCO）以及各类精密定时电路。此外，C0G介质还具备极低的老化速率——理论上为0%/每十年，避免了因时间推移导致的电容漂移问题，从而保证长期运行的可靠性。
　　该电容器的结构采用多层叠层技术，在微小的0402封装内实现了良好的机械强度与电气性能平衡。每一层均由交替排列的内电极和陶瓷介质构成，通过共烧工艺形成一体化结构。这种设计不仅提高了单位体积内的有效电容密度，而且显著降低了等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR），使器件在高频下仍能维持高效的能量存储与释放能力。对于工作频率达到GHz级别的射频电路而言，低ESL和低ESR意味着更少的能量损耗和更高的Q值，有助于提升系统整体效率和信号完整性。
　　另一个关键优势在于其对直流偏置电压的高度不敏感性。与X7R或Y5V类电容器不同，C0G材质的介电常数不会随着外加电压的变化而发生明显下降，因此即使在接近额定电压50V的情况下，其实际电容值依然保持稳定。这一点在电源去耦或动态负载切换的应用中尤为重要，能够防止因电容衰减而导致的电压波动或噪声增加。同时，该器件具备出色的抗湿性和耐热循环能力，符合AEC-Q200标准的部分应力测试条件，适用于汽车电子等严苛环境下的使用。
　　CAT10-680J4LF还支持现代自动化贴片生产线所需的回流焊工艺，并兼容无铅焊接流程。其端电极经过特殊处理，通常采用镍阻挡层加锡镀层结构（Ni/Sn），以防止银迁移现象并增强焊接可靠性。此外，该器件具有较低的微观振动噪声（microphonics），不易因机械振动产生电噪声，适用于音频前端或高灵敏度模拟电路中。总体来看，CAT10-680J4LF凭借其卓越的稳定性、高频响应能力和环境适应性，广泛应用于高端通信模块、医疗仪器、航空航天电子及测试测量设备等领域。

CAT10-680J4LF因其卓越的电气稳定性和高频性能，广泛应用于多个高要求的技术领域。首先，在射频（RF）和无线通信系统中，它常用于LC谐振电路、阻抗匹配网络以及带通或低通滤波器的设计。由于其电容值不受温度和电压影响，能够确保发射机和接收机前端电路的频率响应一致性，减少信号失真和相位漂移，提升通信质量。其次，在精密模拟电路中，如运算放大器反馈回路、有源滤波器和ADC/DAC参考电压缓冲电路中，该电容器可作为稳定的时间常数元件，保障系统的线性度和精度。
　　在时钟生成和同步系统中，CAT10-680J4LF被大量用于晶振旁路和负载电容配置。许多微控制器、FPGA和实时时钟芯片（RTC）都需要外部石英晶体配合两个负载电容来启动和维持振荡。在这种情况下，使用C0G材质的MLCC至关重要，因为任何电容偏差都会直接影响振荡频率的准确性。CAT10-680J4LF提供的精确68pF容差（±5%）和零温度漂移特性，正好满足这类应用对长期频率稳定性的严格要求。
　　此外，该器件也适用于高速数字系统的去耦和旁路应用，尤其是在为低功耗处理器、传感器接口和电源管理IC提供局部储能时表现出色。虽然大容量去耦通常由X7R或钽电容承担，但在高频噪声抑制方面，小型C0G电容更具优势。将其布置在电源引脚附近，可以有效滤除MHz至GHz范围内的开关噪声，防止干扰敏感模拟模块。最后，在汽车电子、工业控制和医疗设备中，由于这些应用场景往往面临剧烈温度变化、振动和长期运行压力，CAT10-680J4LF的高可靠性使其成为首选元件之一。