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IRFH5015TRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 9:14:17 查看 阅读:10

IRFH5015TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制程技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等。其封装形式为PQFN3333-20L,具有出色的散热性能和紧凑的设计,适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
  该MOSFET属于N沟道增强型器件,通过栅极施加正电压来开启导通路径。其典型应用场景包括笔记本电脑适配器、电信系统中的负载开关和电池保护电路等。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:68A
  导通电阻(典型值):0.8mΩ
  栅极电荷(典型值):19nC
  开关速度:非常快
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFH5015TRPBF的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提升效率。
  2. 高电流处理能力,能够支持高达68A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,使得其在高频应用中表现出色。
  4. 紧凑的PQFN3333-20L封装设计,有助于减少PCB空间占用并改善热管理。
  5. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。

应用

该器件广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)设计中的同步整流。
  2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
  3. 电动工具及消费类电子产品中的电机驱动。
  4. 电池管理系统中的保护和负载切换。
  5. 通信基础设施中的电源模块。
  6. 工业自动化设备中的电源控制单元。

替代型号

IRFH5014TRPBF, IRFH5016TRPBF

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IRFH5015TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)150V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C10A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C31 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 150µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 50V
  • 功率 - 最大3.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VQFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)单芯片焊盘
  • 包装带卷 (TR)