IRFH5015TRPBF是一款由英飞凌(Infineon)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了先进的制程技术,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等。其封装形式为PQFN3333-20L,具有出色的散热性能和紧凑的设计,适合现代电子设备对小型化和高效能的需求。
该MOSFET属于N沟道增强型器件,通过栅极施加正电压来开启导通路径。其典型应用场景包括笔记本电脑适配器、电信系统中的负载开关和电池保护电路等。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:68A
导通电阻(典型值):0.8mΩ
栅极电荷(典型值):19nC
开关速度:非常快
工作结温范围:-55℃至175℃
IRFH5015TRPBF的主要特性如下:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗并提升效率。
2. 高电流处理能力,能够支持高达68A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷和输出电荷,使得其在高频应用中表现出色。
4. 紧凑的PQFN3333-20L封装设计,有助于减少PCB空间占用并改善热管理。
5. 广泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件。
6. 符合RoHS标准,环保且满足现代工业规范要求。
该器件广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)设计中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
3. 电动工具及消费类电子产品中的电机驱动。
4. 电池管理系统中的保护和负载切换。
5. 通信基础设施中的电源模块。
6. 工业自动化设备中的电源控制单元。
IRFH5014TRPBF, IRFH5016TRPBF