时间：2025/12/26 2:29:04
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WL06GT47N是一款由Wolfspeed（原Cree旗下公司）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件采用先进的650V耐压技术，结合氮化镓材料的优异特性，能够在比传统硅MOSFET更高的开关频率下工作，同时显著降低导通损耗和开关损耗。WL06GT47N属于Wolfspeed的G3系列氮化镓晶体管产品线，具备增强型（e-mode）栅极结构，即常关型设计，提升了系统在启动和故障情况下的安全性与可靠性。该器件通常用于服务器电源、电信整流器、工业电源、太阳能逆变器以及车载充电系统等高端功率转换场景。其封装形式为紧凑型表面贴装DFN（Dual Flat No-lead）封装，有助于减小寄生电感并提升热性能，适合高密度PCB布局。此外，WL06GT47N内置了驱动优化设计，兼容标准的栅极驱动电压（如12V开启，0V关断），便于与现有硅基驱动IC协同工作，降低了系统设计复杂度。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN HEMT）
漏源电压（Vds）：650 V
连续漏极电流（Id）：6 A
脉冲漏极电流（Idm）：24 A
导通电阻（Rds(on)）：47 mΩ
栅极阈值电压（Vgs(th)）：约 2.8 V
最大栅源电压（Vgs max）：+6.5 V / -4 V
输入电容（Ciss）：典型值 1200 pF
输出电容（Coss）：典型值 180 pF
反向恢复电荷（Qrr）：近似为 0 C
工作结温范围（Tj）：-40°C 至 +150°C
封装类型：DFN 6x8 mm
WL06GT47N的核心优势在于其基于氮化镓半导体材料构建的异质结构通道，实现了远超传统硅MOSFET的性能表现。首先，在导通状态下，其47mΩ的低导通电阻确保了在中等电流水平下的极低导通损耗，这对于提高电源系统的整体效率至关重要。其次，由于氮化镓材料具有更高的临界电场强度和电子饱和速度，该器件可以在数百kHz甚至MHz级别的高频条件下运行，从而允许使用更小体积的磁性元件和电容器，大幅缩小电源系统的尺寸和重量。此外，WL06GT47N采用增强型设计，意味着在栅极为零偏置时器件处于关闭状态，这极大简化了驱动电路的设计难度，并避免了在启动或异常情况下发生直通的风险，增强了系统的安全性和鲁棒性。值得一提的是，该器件几乎不存在体二极管反向恢复电荷（Qrr ≈ 0），因此在硬开关拓扑如图腾柱PFC中可有效消除因反向恢复引起的能量损耗和电压振铃现象，进一步提升转换效率并减少电磁干扰（EMI）。WL06GT47N还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘将热量高效传递至PCB，配合适当的热设计可维持稳定的工作温度。其DFN封装具有较低的引脚电感，有助于抑制开关过程中的电压过冲和振荡，提升系统稳定性。最后，该器件经过严格的质量认证和可靠性测试，适用于工业级和部分汽车级应用场景，具备长寿命和高可靠性的特点。
WL06GT47N广泛应用于对效率、功率密度和开关频率有严苛要求的现代电力电子系统中。典型应用包括高效率AC-DC电源供应器，尤其是在数据中心服务器电源和通信基站整流模块中，用于实现98%以上的转换效率目标。在无桥图腾柱功率因数校正（Totem-Pole PFC）拓扑中，WL06GT47N凭借其零反向恢复特性成为理想的选择，能够显著提升PFC级的能效并减少散热需求。此外，该器件也适用于DC-DC变换器，例如LLC谐振转换器或非对称半桥电路，用于中间母线转换或负载点供电系统。在可再生能源领域，WL06GT47N可用于光伏微型逆变器或储能系统的双向DC-AC逆变器，支持高频率切换以提升能量转换效率。电动汽车相关应用方面，该器件可用于车载充电机（OBC）和直流快充模块，满足小型化和高效化的设计趋势。工业电机驱动、UPS不间断电源以及高端消费类电源适配器也是其重要应用方向。得益于其紧凑的DFN封装和优异的热性能，WL06GT47N特别适合空间受限但性能要求高的设计场景。
EPC2045
GS-065BMS047T
