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ER1GAFC_R1_00001 发布时间 时间:2025/8/14 16:01:31 查看 阅读:22

ER1GAFC_R1_00001 是一款由东芝(Toshiba)推出的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,具有较高的开关速度和较低的导通损耗,适用于如工业电机驱动、电动汽车逆变器、太阳能逆变器和家用电器等应用。

参数

类型:IGBT
  最大集电极-发射极电压:1700V
  最大集电极电流:50A
  导通压降:约2.1V(典型值)
  工作温度范围:-40°C至150°C
  封装形式:TO-247
  栅极驱动电压:±20V
  短路耐受能力:6μs

特性

ER1GAFC_R1_00001 IGBT器件具有出色的热稳定性和可靠性,适用于高温工作环境。该器件采用了先进的沟道型IGBT技术,有效降低了导通压降和开关损耗。其高短路耐受能力确保了在极端工作条件下的稳定性。此外,该器件具备较高的dv/dt耐受能力,能够减少电磁干扰(EMI)的影响,从而提高系统的整体性能。
  这款IGBT还集成了一个快速恢复二极管(FRD),与IGBT本体共享一个共同的封装,从而简化了电路设计并减少了外部元件数量。其封装设计优化了散热性能,有助于延长器件的使用寿命。ER1GAFC_R1_00001 还具备良好的短路保护能力,能够承受瞬时过载而不发生损坏,适合用于高可靠性应用。

应用

ER1GAFC_R1_00001 通常用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中,例如工业变频器、伺服驱动器、可再生能源逆变器(如太阳能和风能系统)、电动汽车充电系统以及高频电源转换器。此外,它也常用于白色家电中的电机控制模块,如空调压缩机和洗衣机变频驱动系统。由于其高可靠性和热稳定性,该器件也适用于轨道交通系统中的牵引逆变器和辅助电源系统。

替代型号

GT15Q101、STGA1H50DF1R、IKW50N65H5

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ER1GAFC_R1_00001参数

  • 现有数量2,500现货
  • 价格1 : ¥3.58000剪切带(CT)3,000 : ¥0.79592卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 技术标准
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)400 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)1A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.25 V @ 1 A
  • 速度快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr)35 ns
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏1 μA @ 400 V
  • 不同?Vr、F 时电容15pF @ 4V,1MHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳DO-221AC,SMA 扁平引线
  • 供应商器件封装SMAF-C
  • 工作温度 - 结-55°C ~ 150°C