时间：2025/8/14 16:01:31
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ER1GAFC_R1_00001 是一款由东芝（Toshiba）推出的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，广泛应用于高电压和高电流的电力电子系统中。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点，具有较高的开关速度和较低的导通损耗，适用于如工业电机驱动、电动汽车逆变器、太阳能逆变器和家用电器等应用。
类型：IGBT
最大集电极-发射极电压：1700V
最大集电极电流：50A
导通压降：约2.1V（典型值）
工作温度范围：-40°C至150°C
封装形式：TO-247
栅极驱动电压：±20V
短路耐受能力：6μs
ER1GAFC_R1_00001 IGBT器件具有出色的热稳定性和可靠性，适用于高温工作环境。该器件采用了先进的沟道型IGBT技术，有效降低了导通压降和开关损耗。其高短路耐受能力确保了在极端工作条件下的稳定性。此外，该器件具备较高的dv/dt耐受能力，能够减少电磁干扰（EMI）的影响，从而提高系统的整体性能。
这款IGBT还集成了一个快速恢复二极管（FRD），与IGBT本体共享一个共同的封装，从而简化了电路设计并减少了外部元件数量。其封装设计优化了散热性能，有助于延长器件的使用寿命。ER1GAFC_R1_00001 还具备良好的短路保护能力，能够承受瞬时过载而不发生损坏，适合用于高可靠性应用。
ER1GAFC_R1_00001 通常用于高功率密度和高效率要求的电力电子系统中，例如工业变频器、伺服驱动器、可再生能源逆变器（如太阳能和风能系统）、电动汽车充电系统以及高频电源转换器。此外，它也常用于白色家电中的电机控制模块，如空调压缩机和洗衣机变频驱动系统。由于其高可靠性和热稳定性，该器件也适用于轨道交通系统中的牵引逆变器和辅助电源系统。
GT15Q101、STGA1H50DF1R、IKW50N65H5
