型号：WL05GTR15
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：20V
　　栅源电压VGS：±8V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：1.5A
　　脉冲漏极电流IDM：4.5A
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=4.5V）：150mΩ
　　导通电阻RDS(on)（@VGS=2.5V）：220mΩ
　　阈值电压Vth：0.6V ~ 1.0V
　　输入电容Ciss：220pF
　　输出电容Coss：60pF
　　反向传输电容Crss：20pF
　　栅极电荷Qg：3.5nC
　　功耗PD：500mW
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN1006-3（1.0×0.6mm）

WL05GTR15采用了罗姆公司优化的沟槽结构工艺，显著降低了导通电阻RDS(on)，从而减少功率损耗并提升整体系统效率。其在VGS=4.5V时的典型RDS(on)仅为150mΩ，在低电压驱动条件下仍能保持良好的导通性能。此外，该器件在VGS=2.5V时也能实现220mΩ的低导通电阻，使其兼容于3.3V或更低逻辑电平的控制信号，适合用于由微控制器直接驱动的场合。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=3.5nC）和输入电容（Ciss=220pF），有助于降低开关损耗，提高高频开关应用中的能效表现。这对于DC-DC降压变换器、同步整流电路以及负载开关等需要快速开关响应的应用尤为重要。同时，较低的Crss（反向传输电容）有效抑制了米勒效应，增强了器件在高速开关过程中的稳定性与抗干扰能力。
　　WL05GTR15采用DFN1006-3小型无铅封装，尺寸仅为1.0×0.6×0.5mm，极大节省了PCB空间，非常适合智能手机、可穿戴设备、TWS耳机和其他超薄消费类电子产品。该封装具备优良的热传导性能，通过底部散热焊盘可将热量高效传递至PCB，提升长期运行的可靠性。
　　器件符合RoHS环保标准，不含铅和有害物质，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证（若适用具体批次），表明其在严苛环境下的稳定性和耐久性。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+150°C）确保在极端温度条件下仍能正常工作，适用于工业级和汽车电子应用场景。此外，WL05GTR15具备良好的抗静电能力（HBM ESD rating ≥2kV），提高了在生产装配和现场使用中的安全性。

WL05GTR15广泛应用于需要小型化和高能效的电源管理系统中。常见用途包括便携式消费类电子产品的DC-DC转换器，例如智能手机、平板电脑和智能手表中的降压（Buck）或升压（Boost）电路，作为同步整流开关以提高转换效率。该器件也适用于电池供电系统的电源开关，用于控制电池与负载之间的连接，实现低功耗待机和快速唤醒功能。
　　在负载开关（Load Switch）电路中，WL05GTR15可用于隔离不同功能模块的供电路径，防止漏电流积累，延长设备续航时间。其低阈值电压和低驱动需求使其能够被低压逻辑信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计。
　　此外，该MOSFET还可用于LED背光驱动、传感器电源管理、USB端口电源控制以及各类微型电机驱动电路中。由于其具备良好的热稳定性和高频响应特性，也适用于高频振荡电路和小型无线充电接收端的整流与控制环节。在汽车电子中，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的小信号开关或辅助电源调节单元。

DMG2305UX-7
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