APT60DQ120BG是一款由Microsemi(现为L3Harris Technologies的一部分)制造的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率模块,广泛用于需要高功率和高效率的应用场合。这款器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降的优点,非常适合用于工业电机控制、逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机等应用。APT60DQ120BG采用了先进的沟道技术,具有优异的热稳定性和可靠性。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
最大集电极电流(Ic):60A
最大工作温度:150°C
封装类型:双列直插式(DIP)
安装方式:通孔安装
输入电容:典型值1200pF
导通压降:典型值2.1V
短路耐受能力:10μs @ 150°C
APT60DQ120BG具备多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。
首先,该模块采用了先进的沟道技术,提高了器件的开关速度和导通性能,同时降低了开关损耗。这种技术还增强了器件的热稳定性,使其能够在高温环境下可靠工作。
其次,APT60DQ120BG具有优异的短路耐受能力,能够在150°C的高温下承受高达10μs的短路电流,这大大提高了系统的可靠性和安全性。
此外,该模块的封装设计优化了散热性能,确保在高功率密度应用中能够有效散热,从而延长了器件的使用寿命。
最后,APT60DQ120BG的驱动电路设计简单,易于集成到现有的功率系统中,减少了设计复杂度和开发时间。
APT60DQ120BG广泛应用于需要高功率和高可靠性的电力电子系统中。常见的应用包括工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、电焊机、感应加热设备和太阳能逆变器等。在这些应用中,APT60DQ120BG能够提供高效的功率转换,同时保持系统的稳定性和可靠性。
APT60DQ120BG的替代型号包括APT60DQ120BG2、APT60DQ120RL和APT60DQ120JN。这些型号在性能和参数上与APT60DQ120BG相似,可以作为替代选择。