类型：齐纳二极管
　　封装/外壳：SOD-323（SC-76）
　　齐纳电压 VZ：3.3V（标称值）
　　电压容差：±5%
　　齐纳阻抗 Zzt：≤40Ω（典型值）
　　测试电流 IZT：5mA
　　最大功耗 PD：200mW
　　工作结温范围 TJ：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
　　反向漏电流 IR：≤1μA（在 VR = 1V 时）
　　温度系数 TC：+10 mV/°C（典型值，正温度系数）

WL03JT3N3 齐纳二极管具备多项关键特性，使其在众多低压稳压与电压参考应用中表现出色。首先，其采用 SOD-323 小型化表面贴装封装，显著节省 PCB 布局空间，特别适用于高密度组装的移动设备和便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。该封装还具有良好的散热性能，能够在有限的空间内有效传导热量，提升长期运行的可靠性。
　　其次，该器件提供精确的 3.3V 齐纳电压，容差控制在 ±5% 范围内，确保输出电压高度稳定，满足对精度要求较高的模拟和数字电路需求。其测试电流设定为 5mA，在此条件下齐纳阻抗（Zzt）不超过 40Ω，表明其在正常工作状态下具有良好的动态响应能力和较小的电压波动，有助于维持系统供电的平稳性。
　　再者，WL03JT3N3 的最大功耗为 200mW，结合其低功耗特性，非常适合用于电池供电系统或待机电路中，能够有效延长电池寿命。同时，其反向漏电流极低，在反向电压仅为 1V 时漏电流不超过 1μA，这意味着在未达到击穿电压前几乎不消耗电流，提升了整体能效表现。
　　此外，该齐纳二极管具有正温度系数（约 +10 mV/°C），这一特性在某些补偿电路中可以与其他负温度系数元件配合使用，实现更宽温度范围内的电压稳定性。其宽广的工作结温范围（-65°C 至 +150°C）使其可在极端环境条件下稳定运行，适用于工业级和汽车级应用场景。最后，产品符合 RoHS 指令并采用无铅焊接工艺，支持环保生产流程，符合现代电子制造业的发展趋势。

WL03JT3N3 主要应用于需要稳定低电压参考或过压保护的小信号电路中。常见用途包括作为微控制器、传感器或逻辑电路的电压基准源，特别是在 3.3V 电源系统中用于校准和偏置设置。在电源管理单元中，它可用于反馈回路中的稳压检测，或与运算放大器配合构建精密参考电压源。
　　此外，该器件常被用作 ESD 保护和瞬态电压抑制的辅助元件，在数据线或信号线上提供一定程度的过压钳位功能，防止敏感 IC 因意外电压尖峰而损坏。在电池供电设备中，如蓝牙耳机、智能手环等，WL03JT3N3 可用于监测电池电压或构建简单的低压检测电路。
　　在通信接口电路（如 I2C、UART）中，该齐纳二极管可用于电平箝位，防止总线电压超出安全范围，从而提高系统的抗干扰能力。同时，由于其体积小巧且可靠性高，也被广泛用于各类消费类电子产品主板上的局部稳压节点，例如为实时时钟（RTC）模块或低功耗传感器提供独立的参考电压。
　　在工业控制领域，WL03JT3N3 可用于 PLC 输入模块的信号调理电路中，起到限幅和保护作用。此外，在 LED 驱动电路或音频前置放大器中，也可利用其稳定的击穿特性进行偏置电压设定或噪声抑制。总之，凭借其小型化、高精度和高可靠性的特点，WL03JT3N3 在现代电子系统中扮演着重要的基础角色。

BZT52C3V3-GS08
　　MMBZ5231B-7-F
　　1N4148W-7-F
　　SZLL33-M3-7
　　ZMM3V3