型号：WL03GT27N
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：GaN-on-Si
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：27 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：108 A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3 mΩ
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1.5 V ~ 2.2 V
　　输入电容（Ciss）：1060 pF
　　输出电容（Coss）：240 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　最大工作结温：150 °C
　　封装形式：LGA 8引脚
　　安装方式：表面贴装

WL03GT27N的核心优势在于其基于氮化镓材料的物理特性所带来的卓越开关性能。氮化镓作为一种宽禁带半导体材料，具有比硅更高的临界电场强度和电子饱和漂移速度，这使得WL03GT27N能够在更低的导通电阻下承受更高的电压，同时实现极快的开关切换能力。该器件为增强型设计，即在零偏置电压下处于关断状态，符合大多数电源系统的安全启动需求，简化了驱动电路的设计复杂度。其极低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd）显著降低了驱动损耗和开关过程中的能量损耗，使电源系统可在数百kHz至数MHz频率范围内高效运行，从而大幅减小磁性元件和电容的体积，提升整体功率密度。
　　此外，WL03GT27N具备极低的输出电容（Coss）和几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），这意味着在同步整流或半桥拓扑中，体二极管的反向恢复损耗被极大抑制，避免了传统硅MOSFET在高频下因Qrr引起的严重发热问题。这一特性特别适用于LLC谐振转换器、有源钳位反激（ACF）和图腾柱PFC等软开关或高频硬开关拓扑。器件还采用了低寄生电感的LGA封装，优化了源极和栅极回路的电感匹配，增强了高速开关下的稳定性，并减少了电压过冲和振荡风险。
　　在可靠性方面，WL03GT27N通过了严格的工业级认证测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环等，确保在恶劣工作环境下长期稳定运行。其热阻（RθJC）较低，有利于热量从结传导至PCB，配合良好的散热设计可维持结温在安全范围内。此外，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的导通电阻特性，有助于实现均流，提升大功率系统的可扩展性。总体而言，WL03GT27N代表了当前先进功率半导体技术的发展方向，为下一代高效、高密度电源系统提供了关键支持。

WL03GT27N广泛应用于对效率和功率密度要求极高的现代电力电子系统中。典型应用场景包括服务器和数据中心的48V中间总线转换器（IBC）、高密度AC-DC电源适配器、电信整流模块以及工业用高效率DC-DC变换器。在这些系统中，WL03GT27N常用于同步整流、初级侧开关或图腾柱无桥PFC电路中，以替代传统硅MOSFET，从而实现更高的转换效率和更小的系统尺寸。此外，该器件也适用于无线充电发射端、激光驱动电源和便携式医疗设备电源等高频、低噪声场合。由于其优异的动态性能，WL03GT27N在电动汽车车载充电机（OBC）和直流快充模块中也展现出巨大潜力。在可再生能源领域，如光伏微型逆变器和储能系统的双向DC-DC转换器中，WL03GT27N同样可用于提升系统效率和响应速度。其高频工作能力使得搭配平面变压器和集成磁件成为可能，进一步推动电源系统的模块化与轻量化发展。

EPC2045
　　GS-063B100-1L