KTC4368 时间：2025/12/28 14:37:55 阅读：17

KTC4368 是一款常见的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等高功率应用场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻、高耐压和高电流承载能力的特点，适用于中高功率电子系统的设计。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：9A
　　导通电阻（Rds(on)）：≤0.85Ω
　　最大功耗（Pd）：50W
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　封装形式：TO-220

特性

KTC4368具有多个优良的电气特性，适合在多种高功率应用中使用。首先，其最大漏极电压可达500V，能够承受较高的电压应力，适用于高压开关电路。其次，最大漏极电流为9A，具备较强的电流承载能力，适用于中高功率的电源转换器和电机驱动电路。此外，该MOSFET的导通电阻（Rds(on)）低于0.85Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件的栅极电压范围为±30V，具有良好的栅极保护能力，避免因过压导致的栅极击穿。KTC4368的最大功耗为50W，适合在较高温度环境下运行。其工作温度范围为-55℃至+150℃，适应性强，适用于各种工业和消费类电子设备。TO-220封装形式便于安装和散热设计，适合用于PCB板上的功率应用。此外，KTC4368具有较高的开关速度和较低的输入电容，使其在高频开关电路中表现良好，适用于开关电源和逆变器等对效率和频率要求较高的场合。

应用

KTC4368常用于多种功率电子系统中。在开关电源（SMPS）中，它常用于主开关电路，实现高效率的能量转换。在DC-DC转换器中，该MOSFET作为高频开关元件，用于升降压转换，提高系统效率。在电机驱动电路中，KTC4368可用于控制直流电机或步进电机的运行，提供稳定的功率输出。同时，它也适用于逆变器系统，如UPS（不间断电源）和太阳能逆变器，实现直流到交流的高效转换。此外，该器件还可用于照明控制系统、电池管理系统和工业自动化设备中，满足多种高功率需求。