时间：2025/12/26 1:38:54
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WL02JTS20N是一款由Woolsey Semiconductor（沃尔斯半导体）推出的高性能、低功耗P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的沟槽型技术制造，专为高效率电源管理应用设计。该器件封装在小型SOT-23（SC-70）封装中，具有极低的导通电阻和优良的开关特性，适用于空间受限的便携式电子设备。WL02JTS20N在栅极驱动电压较低的情况下仍能保持良好的导通性能，支持逻辑电平驱动，使其非常适合用于电池供电系统中的负载开关、电源路径控制以及DC-DC转换器等应用场景。
该MOSFET具备良好的热稳定性和可靠性，符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，适用于现代绿色电子产品设计。其P沟道结构简化了电路设计，在高端开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现有效控制，降低了整体系统成本和复杂度。此外，WL02JTS20N还具备优良的雪崩能量耐受能力和静电放电（ESD）保护能力，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。
型号：WL02JTS20N
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-2.3A
最大脉冲漏极电流（IDM）：-6.9A
最大栅源电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -4.5V：≤ 68mΩ
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -2.5V：≤ 85mΩ
导通电阻（RDS(on)）@ VGS = -1.8V：≤ 110mΩ
栅极阈值电压（Vth）：-0.4V ~ -1.0V
输入电容（Ciss）：320pF @ VDS=10V
反向传输电容（Crss）：50pF @ VDS=10V
开启延迟时间（td(on)）：12ns
关断延迟时间（td(off)）：28ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23 (SC-70)
安装方式：表面贴装（SMD）
WL02JTS20N采用先进的沟槽型MOSFET工艺，确保在低电压操作条件下仍能维持优异的导电性能与开关效率。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），即使在-1.8V的低栅极驱动电压下也能保持不超过110mΩ的导通阻抗，这使得它特别适合应用于由锂电池直接供电的便携式设备中，如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机和移动电源等。由于采用了P沟道结构，该器件在高端开关配置中无需复杂的自举电路或电荷泵驱动，从而显著简化了电源管理电路的设计流程并减少外围元件数量，有助于缩小PCB面积并降低成本。
该器件具备出色的动态性能，包括快速的开关响应时间和较低的输入/输出电容，有效减少了开关过程中的功率损耗，提高了系统的整体能效。其典型的输入电容（Ciss）仅为320pF，在高频开关应用中表现出良好的稳定性。同时，WL02JTS20N具有宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C），可在极端环境下可靠运行，适用于工业级及消费类电子产品。内置的体二极管提供了反向电流保护功能，进一步增强了系统的安全性。
从可靠性角度来看，WL02JTS20N经过严格的质量测试，具备高抗静电能力（HBM ESD ±2000V），并支持多次回流焊工艺，适应现代自动化生产流程。器件的封装采用符合JEDEC标准的小型化SOT-23设计，不仅节省空间，而且便于自动化贴片作业。此外，产品符合RoHS指令要求，不含铅、镉等有害物质，满足全球环保法规需求，适用于出口型电子产品设计。制造商还提供完整的数据手册、应用指南和技术支持服务，帮助工程师快速完成选型与电路优化。
WL02JTS20N广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源开关解决方案的电子系统中。典型用途包括便携式消费类电子产品的负载开关控制，例如在智能手机和平板电脑中用于控制不同模块的供电通断，以实现节能待机或热插拔功能；也可作为电池充电管理电路中的高端开关，配合充电IC实现对电池充放电路径的精确控制。
在直流-直流（DC-DC）转换器拓扑中，该器件可用于同步整流或低端开关配置，尤其是在低电压输入（如3.3V或5V）系统中表现优异。此外，WL02JTS20N常被用于电源多路复用器（Power MUX）设计中，实现主备电源之间的无缝切换，保障系统持续稳定运行。
其他应用场景还包括LED驱动电路中的开关控制、USB端口的过流保护开关、无线传感器节点的电源门控管理以及小型电机驱动电路中的低边开关。得益于其小型封装和低功耗特性，该器件也适用于医疗监测设备、智能家居传感器和物联网终端等对尺寸和能耗极为敏感的产品。无论是工业控制、通信模块还是家用电器，只要涉及低压、小电流的开关控制任务，WL02JTS20N都能提供稳定可靠的解决方案。
SI2301,AP2301,GSM2301,DMG2301
