时间：2025/9/1 9:15:25
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IS43DR16128-3DBLI 是由 ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于 SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，采用 16M x 16 位的组织结构，总容量为 256Mb。该器件广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品中。
型号: IS43DR16128-3DBLI
类型: SDRAM
容量: 256Mb
组织结构: 16M x 16 位
电源电压: 2.3V - 3.6V
工作温度: -40°C 至 +85°C
封装类型: TSOP
引脚数: 54
最大时钟频率: 166MHz
访问时间: 5.4ns
数据速率: 166MHz
刷新周期: 64ms
封装尺寸: 8mm x 20mm
工艺技术: CMOS
IS43DR16128-3DBLI 是一款高性能、低功耗的 SDRAM 芯片，具有良好的数据稳定性和较长的存储周期。该芯片采用了先进的 CMOS 技术，能够在低电压下稳定运行，适用于各种低功耗应用环境。其同步操作特性使得数据传输与系统时钟保持同步，从而提高了系统的整体性能和稳定性。
该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V，具有较强的电压适应能力，适合多种电源设计方案。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，能够适应工业级环境要求，广泛适用于工业控制、通信设备和汽车电子等高可靠性应用场景。
IS43DR16128-3DBLI 采用 54 引脚 TSOP 封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局设计。其最大时钟频率可达 166MHz，数据访问时间为 5.4ns，支持高速数据读写操作，适用于对存储速度要求较高的系统应用。
此外，该芯片内置自动刷新和自刷新功能，能够有效延长数据保存时间并降低功耗。其 64ms 的刷新周期确保了数据在断电前的完整性，适用于需要长时间数据保持的应用场景。
IS43DR16128-3DBLI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的各种电子设备中，包括但不限于：嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频采集与处理设备、消费类电子产品（如数字电视、机顶盒）、汽车电子系统（如车载信息娱乐系统）等。
由于其工业级温度范围和高可靠性设计，该芯片特别适合用于环境条件较为苛刻的工业和通信领域。在需要高速数据缓冲和临时存储的场合，例如图像处理、数据缓存、系统内存扩展等方面，IS43DR16128-3DBLI 都能够提供稳定可靠的支持。
IS43DR16128-3DBLI 的替代型号包括：IS43DR16128-3DBL、IS43DR16128-3DBL-TR、IS43LD16128A-3DBLI、IS43DR16328-3DBLI 和 MT48LC16M2A2B4-6A。
