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IS43DR16128-3DBLI 发布时间 时间:2025/9/1 9:15:25 查看 阅读:9

IS43DR16128-3DBLI 是由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)生产的一款高性能、低功耗的动态随机存取存储器(DRAM)芯片。该芯片属于 SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,采用 16M x 16 位的组织结构,总容量为 256Mb。该器件广泛应用于需要高速数据存取的嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费电子产品中。

参数

型号: IS43DR16128-3DBLI
  类型: SDRAM
  容量: 256Mb
  组织结构: 16M x 16 位
  电源电压: 2.3V - 3.6V
  工作温度: -40°C 至 +85°C
  封装类型: TSOP
  引脚数: 54
  最大时钟频率: 166MHz
  访问时间: 5.4ns
  数据速率: 166MHz
  刷新周期: 64ms
  封装尺寸: 8mm x 20mm
  工艺技术: CMOS

特性

IS43DR16128-3DBLI 是一款高性能、低功耗的 SDRAM 芯片,具有良好的数据稳定性和较长的存储周期。该芯片采用了先进的 CMOS 技术,能够在低电压下稳定运行,适用于各种低功耗应用环境。其同步操作特性使得数据传输与系统时钟保持同步,从而提高了系统的整体性能和稳定性。
  该芯片的工作电压范围为 2.3V 至 3.6V,具有较强的电压适应能力,适合多种电源设计方案。其工作温度范围为 -40°C 至 +85°C,能够适应工业级环境要求,广泛适用于工业控制、通信设备和汽车电子等高可靠性应用场景。
  IS43DR16128-3DBLI 采用 54 引脚 TSOP 封装,具有较小的封装体积和良好的散热性能,适合高密度 PCB 布局设计。其最大时钟频率可达 166MHz,数据访问时间为 5.4ns,支持高速数据读写操作,适用于对存储速度要求较高的系统应用。
  此外,该芯片内置自动刷新和自刷新功能,能够有效延长数据保存时间并降低功耗。其 64ms 的刷新周期确保了数据在断电前的完整性,适用于需要长时间数据保持的应用场景。

应用

IS43DR16128-3DBLI 广泛应用于需要高速缓存和临时数据存储的各种电子设备中,包括但不限于:嵌入式控制系统、工业自动化设备、网络路由器和交换机、视频采集与处理设备、消费类电子产品(如数字电视、机顶盒)、汽车电子系统(如车载信息娱乐系统)等。
  由于其工业级温度范围和高可靠性设计,该芯片特别适合用于环境条件较为苛刻的工业和通信领域。在需要高速数据缓冲和临时存储的场合,例如图像处理、数据缓存、系统内存扩展等方面,IS43DR16128-3DBLI 都能够提供稳定可靠的支持。

替代型号

IS43DR16128-3DBLI 的替代型号包括:IS43DR16128-3DBL、IS43DR16128-3DBL-TR、IS43LD16128A-3DBLI、IS43DR16328-3DBLI 和 MT48LC16M2A2B4-6A。

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IS43DR16128-3DBLI参数

  • 标准包装162
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型DDR2 SDRAM
  • 存储容量2G(128M x 16)
  • 速度333MHz
  • 接口并联
  • 电源电压1.7 V ~ 1.9 V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳84-LFBGA
  • 供应商设备封装84-FBGA(10.5x13.5)
  • 包装托盘
  • 其它名称706-1137