时间：2025/6/9 18:43:53
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NVD4813NHT4G是一款高性能的MOSFET功率晶体管，属于N沟道增强型器件。该产品采用TO-263封装形式，具有低导通电阻和高开关速度的特点，广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等场景。其设计注重效率与可靠性，能够满足现代电子设备对高效能和小型化的需求。
该型号由知名半导体制造商生产，具体厂商信息需根据实际供应渠道确认。其优异的电气性能使其在众多工业及消费类应用中备受青睐。
最大漏源电压：50V
连续漏极电流：29A
导通电阻：4.8mΩ
栅极电荷：25nC
开关时间：典型值10ns（开启），25ns（关闭）
结温范围：-55℃至+150℃
NVD4813NHT4G的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著降低功耗并提升系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用场景。
3. 快速开关特性，适用于高频工作环境。
4. 良好的热稳定性，确保在宽温度范围内稳定运行。
5. TO-263封装提供出色的散热性能和机械强度。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
7. 内部设计优化以减少寄生电感和电容影响，从而改善EMI表现。
该器件适合以下应用领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流功能。
2. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
3. 汽车电子中的电机驱动与负载切换。
4. 工业自动化设备中的电源管理和信号处理。
5. 各种便携式设备中的高效DC-DC转换。
6. 高频逆变器和光伏微型逆变器的核心组件。
NVD4814NHT4G, IRFZ44N, FDP5500
