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GJM1555C1H1R0BB01D 发布时间 时间:2025/6/5 9:24:58 查看 阅读:9

GJM1555C1H1R0BB01D 是一款高性能的射频功率放大器芯片,专为无线通信系统中的信号放大设计。该器件采用先进的GaAs(砷化镓)或InGaP HBT工艺制造,能够提供高增益、高线性度和高效率的射频信号放大性能。其工作频率范围广泛,适用于蜂窝基站、无线基础设施设备以及点对点无线电等多种应用领域。
  该芯片集成了匹配网络和偏置电路,简化了外部设计复杂度,并提高了系统的可靠性和稳定性。此外,它还支持宽范围的输入电压,能够在多种电源条件下正常运行。

参数

型号:GJM1555C1H1R0BB01D
  类型:射频功率放大器
  工艺:GaAs 或 InGaP HBT
  工作频率范围:3.3GHz 至 3.8GHz
  增益:16dB
  输出功率(P1dB):42dBm
  效率:40%
  电源电压:5V
  静态电流:500mA
  封装形式:QFN-16
  工作温度范围:-40℃ 至 +85℃

特性

GJM1555C1H1R0BB01D 具有出色的射频性能和可靠性,主要特性包括:
  1. 高增益:在目标频率范围内提供稳定的16dB增益,确保信号放大的一致性。
  2. 高线性度:具备优秀的ACPR(邻道功率比)和低互调失真,适合于多载波和复杂调制信号的应用。
  3. 高效率:在达到额定输出功率时,芯片效率高达40%,降低了功耗和散热需求。
  4. 内部集成匹配网络:减少了外部元件的需求,从而缩小了整体PCB面积并简化了设计流程。
  5. 宽电源电压范围:支持从4.5V到5.5V的工作电压范围,增强了产品的灵活性。
  6. 稳定性强:即使在极端环境温度下,也能保持良好的性能表现。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 蜂窝基站:
   - 包括宏基站、微基站和皮基站等无线通信基础设施。
  2. 固定无线接入:
   - 提供高速互联网连接的点对点或点对多点无线电系统。
  3. 卫星通信:
   - 地面终端设备中的信号增强与传输部分。
  4. 军事及航空航天:
   - 用于雷达、导航和其他关键任务系统中的射频信号处理。
  5. 测试测量:
   - 实验室和生产环境中对射频信号进行测试和验证。

替代型号

GJM1555C1H1R0BA01D
  GJM1555C1H1R0BC01D
  GJM1555C1H1R0BD01D

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GJM1555C1H1R0BB01D参数

  • 特色产品High Frequency - High Q Capacitors
  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 电容1.0pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±0.1pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-